[問題] 關於審查基準中單一性的例子。

看板Patent (專利)作者ides13 (juso)時間7小時前 (2025/07/20 22:59)推噓1(1推 0噓 0→)

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2023年版第四章發明單一性的2 - 4 - 11頁，有一個案例如下。例 3. 〔申請專利範圍〕 1.一種半導體隨機存取記憶體裝置，其特徵在於將具有由第一金屬絕緣層-半導體（metal –insulator–semiconductor, MIS）元件，採用此第一 MIS 元件之汲極及源極領域之任一領域作閘、且於前述第一 MIS 元件之上部疊積形成的第二 MIS 元件，……配置成矩陣狀的記憶體陣列，將資訊線（D1）配線於記憶體存格間使記憶體陣列直交於感線（S1）及字線（W1）而成者。 2.一種 MIS 型半導體裝置，其特徵在於由被形成於半導體基板之一主面上的第一 MIS 元件、與採用此第一 MIS 元件之汲極及源極領域之任一領域作閘，且於前述第一 MIS 元件之上部疊積形成的第二 MIS 元件而成者。〔假設〕就先前技術而言，請求項 1 之「半導體隨機存取記憶體裝置」具有新穎性及進步性。〔說明〕請求項 2 之「MIS 型半導體裝置」為請求項 1 之「半導體隨機存取記憶體裝置」的構成元件之一，請求項 1 包含請求項 2 之內容，請求項1、2 均具有「第一 MIS 元件之汲極及源極領域之任一領域作閘，且於前述第一 MIS 元件之上部疊積形成的第二 MIS 元件」之相同的特別技術特徵，故申請案具有發明單一性。 -------- 上述的例子中，〔假設〕的部分，是否應該是請求項2之「MIS 型半導體裝置」具有新穎性及進步性的情況，申請案才具有發明單一性？畢竟，請求項 1 之「半導體隨機存取記憶體裝置」具有新穎性及進步性的特徵，是哪個部分是未知的。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.34.124.93 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Patent/M.1753023595.A.104.html