[新聞]突破 300 層門檻！SK 海力士宣布量產 321

看板Tech_Job (科技人)作者pl132 (pl132)時間5小時前 (2024/11/21 12:45)推噓0(1推 1噓 12→)

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突破 300 層門檻！SK 海力士宣布量產 321 層堆疊 NAND Flash https://tinyurl.com/28mesjhx 韓國記憶體大廠 SK 海力士於 21 日宣布，開始量產全球最高的 321 層堆疊 1Tb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體。 SK 海力士表示，從 2023 年 6 月量產當前最高的上一代 238 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，並供應於市場之後，現在又率先推出了超過 300 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體，突破了技術界限。SK 海力士計劃從 2025 年上半年起，開始向客戶提供 321 層堆疊的產品，以此因應市場的需求。 SK 海力士強調，在此次產品開發過程中採用了高生產效率的 3-Plug 製程技術，克服了堆疊局限。該技術分三次進行通孔製程，隨後經過優化的後續工程，將 3 個通孔進行電氣連接。在其過程中開發出了低變形的材料，並引進了通孔間自動排列（alignment）矯正技術。另外，技術團隊也將上一代 238 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體的開發平台，應用於 321 層堆疊的產品上，由此最大限度地減少了製程的變化。與上一代產品相較，其生產效率提升了 59%。還有，此次 321 層堆疊的產品與上一代產品相較，數據傳輸速度和讀取性能分別提高了 12%、13%，並且數據讀取能效也提高 10% 以上。SK 海力士接下來將以 321 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，積極因應針對 AI 低功耗、高性能的新市場，並逐漸擴大其應用範圍。 SK 海力士 NAND Flash 快閃記憶體開發副社長崔正達表示，公司率先投入 300 層堆疊以上的 NAND Flash 快閃記憶體量產，在攻佔用於 AI 資料中心的固態硬碟、邊緣 AI 等針對 AI 的記憶體市場方面占有有利地位。未來，公司將不僅在 HBM 為代表的 DRAM，在 NAND Flash 快閃記憶體領域也具備超高性能記憶體產品組合，將躍升為全方位面向 AI 的記憶體供應商。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 180.177.1.107 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1732164326.A.33E.html