[課業] N型跟P型半導體多數載子濃度問題

看板Examination (國家考試)作者 (黑暗騎士)時間13年前 (2013/06/02 18:08), 編輯推噓1(106)
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之前看書提到本質半導體的自由電子跟電洞濃度相等 所以n=p=ni^2 而N型半導體多數載子是自由電子 少數載子是電洞 因為N型摻雜的是五價原子 所以多數載子濃度n等於摻雜濃度Nd P型半導體多數載子濃度p等於摻雜濃度Na 如果是大量摻雜的話多數載子濃度才會近似於摻雜濃度這個很合理 可是我看函授老師講的是摻雜五價或三價原子只是少量摻雜而已 但是多數載子濃度卻還是 近似於摻雜濃度 這樣是老師講錯了還是我理解有問題? 板上前輩可以幫我解釋一下嗎? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.47.24.225 ※ 編輯: kuanfu 來自: 114.47.24.225 (06/02 18:09)

06/02 19:15, , 1F
~10^22個矽原子/立方公分 摻雜~10^16個雜質/立方公分
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06/02 19:16, , 2F
雜質濃度比Si少但比ni(~10^10)高 應該是這樣吧
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06/02 19:19, , 3F
應該是少量摻雜是相對矽原子數來說是少量
06/02 19:19, 3F

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但還是比本質濃度高
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06/02 19:24, , 5F
N=(NA*ND)/(NA+ND) NA>>ND N=ND 分母分子的NA約掉了
06/02 19:24, 5F

06/02 22:46, , 6F
矽原子濃度不等於本質濃度,這點你要先搞清楚~
06/02 22:46, 6F

06/02 22:47, , 7F
隨著溫度的升高,才會有越多的原子會解離成本質濃度~
06/02 22:47, 7F
文章代碼(AID): #1Hgncjsq (Examination)
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