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[考題] 半導體與PN二極體疑問

看板Examination (國家考試)作者 (tina)時間12年前 (2013/12/07 18:10), 編輯推噓0(0推 0噓 11→)
留言11則, 3人參與, 最新討論串1/1
1.http://ppt.cc/qipq 上面那題說P型半導體帶正電荷那就是帶正電 可是下面那題為何又說P型半導體是電中性? 2.http://ppt.cc/Zp8Q 這題一開始在P區外加很多的電洞所以NA的值變大導致黑筆部分那項可以趨近為0 那這樣子不就是由ND來決定逆向電流嗎? ND大小決定於在N區加入的電子數,那這樣答案不是B嗎?為何是A? 3.為什麼PN二極體順向電壓時不用考慮空乏區的厚度而逆向電壓時要考慮呢? 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.34.207.223
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12/07 19:38, , 1F
一 感覺題目出得不好 一個問內部"材料" 一個問"整個"P型
12/07 19:38, 1F
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12/07 19:39, , 2F
"整個P" 大概就是電中性了 P材料當然是較多的正電荷
12/07 19:39, 2F
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12/07 21:13, , 3F
二 P+N NA>>ND 逆偏應該是 npo變少 pno變多載子分佈圖
12/07 21:13, 3F
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12/07 21:19, , 4F
三 因為反偏時空乏區寬度會變大 電場變大，載子能隙高
12/07 21:19, 4F
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12/07 21:20, , 5F
度加大 Vbi=Vbi+VR 熱平衡被打破 這些可參考半物的書籍
12/07 21:20, 5F
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12/07 21:29, , 6F
P(較多電洞和少數陰離子(空乏區)少數陽離子和較多電子)N
12/07 21:29, 6F
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12/07 21:32, , 7F
所以順偏時 P陰離子(空乏區)N陽離子 減少 反偏則而變大
12/07 21:32, 7F
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12/07 21:42, , 8F
2. 逆偏時外加篇壓後主要電流為反向飽和電流，也為少數載子
12/07 21:42, 8F
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12/07 21:43, , 9F
漂移電流 也就是n型裡的電洞電流
12/07 21:43, 9F
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12/08 09:25, , 10F
後來念到二極體電路,那個地方真的是簡單到秒殺
12/08 09:25, 10F
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12/08 09:26, , 11F
二極體內部構造很抽象,但放到電路上題目就便很簡單
12/08 09:26, 11F
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