[新聞] 長江存儲推出128層3D NAND快閃記憶體
原文標題:
長江存儲推出128層3D NAND快閃記憶體
(請勿刪減原文標題)
原文連結:
https://bit.ly/3jvzNrI
(請善用縮網址工具)
發布時間:
2021年8月5日
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容:
2020年4月13日,長江存儲(YMTC)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號: X2-6070)研
發成功,可用於固態硬碟,並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
首款128層QLC規格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070單顆容量達1.33Tb,最高I/O傳輸速
度和最高單顆NAND 閃存晶片容量。同時發布128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存晶
片(型號:X2-9060),以滿足不同應用場景的需求。
長江存儲表示,得益於Xtacking,在長江存儲128層系列產品中,Xtacking 在I/O讀寫性
能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒
)的數據傳輸速率。由於外圍電路和存儲單元分別採用獨立的製造技術,CMOS電路可選用
更先進的製程,同時在晶片面積沒有增加的前提下。
X2-6070方面。QLC是繼TLC(3 bit/cell)後3D NAND新的技術形態,具有大容量、高密度
等特點,適合於讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存晶片擁有128層三維堆疊,共有超
過3,665億個有效的電荷俘獲型(Charge-Trap)存儲單元,每個存儲單元可存儲4字位(
bit)的數據,共提供1.33Tb的存儲容量,是上一代64層單顆晶片容量的5.33倍。
韓國記憶體製造商三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)分別在
2019年8月和2020年第二季開始相同產品的生產。
據韓媒報導,在長江存儲成功量產128層產品後,韓國和中國記憶體製造技術的差距從3-4
年被縮小到了1-2年。不過,X2-6070大規模量產及穩定性還有待確認,加上中國本地的需
求仍然有限。
心得/評論: ※必需填寫滿20字
中國記憶體製造商推出128層NAND產品,傳出已成功量產,與韓國製造商的技術差距也被
縮小。
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