[新聞] 三星決心GAA搶先台積電推出 但良率是利潤關鍵
原文標題:
三星決心GAA搶先台積電推出 但良率是利潤關鍵
(請勿刪減原文標題)
原文連結:
https://bit.ly/3kH5krt
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發布時間:
2021年9月1日
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容:
三星電子(Samsung Electronics)設備解決方案(Device Solution)業務技術長
Jeong Eun-seung 宣佈,作為下世代半導體製程的核心,將提前實現 GAA(Gate all
around)技術商業化。三星電子計劃從明年 (2022) 開始將 GAA 應用於 3 奈米製程;台
積電預計 2023 年於 2 奈米採用 GAA 技術。
Jeong Eun-seung 在 2021 年 8 月 25 日三星技術暨事業論壇(Samsung Tech &
Career Forum)上發表主題演講時表示,三星目前 GAA 技術領先主要競爭對手台積電,
若能確保技術將有助於推動三星代工業務成長。但是,三星晶圓代工難超越台積電,目前
台積電晶圓代工市場佔有率 53.9%、三星僅 17.4%。
然而,從 GAA 專利技術開發來看,2011 年至 2020 年間,全球 GAA 專利有 31.4% 來自
台積電,三星電子則占 20.6%,IBM(10.2%)和 GlobalFoundries(5.5%)。
GAA 被視為 3 奈米製程的關鍵,未來將被全球半導體代工公司所採用。技術的關鍵是將
在半導體內部充當「電流開關」的電晶體的結構從 3D(FinFET)改為 4D(GAA)。三星
電子稱,在 2019 年曾與客戶進行 3 奈米 GAA 製程設計工具測試顯示,GAA 技術將晶片
面積減少了 45%,並將能源效率提高了 50%。
雖然,三星電子決心要趕在台積電前,將新一代 3 奈米 GAA 製程技術商業化。然而,晶
圓代工良率才是企業利潤的關鍵。根據韓媒報導 (2021.7.4),三星電子在華城園區廠最
先進的 V1 線,仍存在良率難解問題,5 奈米產品的良率仍低於 50%。這可能與日本化學
輔料有關,由於日本對韓國實施半導體三項關鍵原料管制,造成三星在先進奈米製程的良
率無法提升。
心得/評論: ※必需填寫滿20字
三星為搶奪代工市場,積極開發GAA技術,誓言搶在對手台積電前將技術商業化,推出3奈
米產品。
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