[新聞] 挑戰台積電?華為四晶片封裝技術大突破
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原文標題:
挑戰台積電?華為四晶片封裝技術大突破
原文連結:
https://www.ctee.com.tw/news/20250616701192-430804
發布時間:
https://tinyurl.com/253snya9
記者署名:
黃欣
原文內容:
華為近期向中國國家知識產權局提交了一項封裝技術專利,內容聚焦於四晶片封裝設計,
極有可能應用於下一代人工智慧(AI)加速器Ascend 910D。此一設計架構與輝達的Rubin
Ultra相似度極高,更重要的是,這代表華為在先進封裝技術方面的快速進展,有望在未
來在晶片封裝領域與台積電一較高下。
綜合陸媒報導,據專利內容,華為提出一種四晶片封裝晶片的製造方法,儘管尚未明言與
Ascend 910D的關聯,但業界普遍認為該晶片處於研發階段。
專利中描述的晶片間互連方式,與台積電的CoWoS-L封裝技術及英特爾的EMIB與Foveros
3D封裝方式相似。
雖然在先進製程與光刻技術方面,華為與中芯國際仍落後於台積電,但在封裝技術的突破
則是中國半導體產業突圍的關鍵。
透過整合多顆晶片於單一封裝中,華為能以較舊的製程技術,達到類似先進節點的運算效
能,以此突破美國晶片出口限制。
據產業界消息,Ascend 910D 單晶片面積約665平方毫米,四晶片封裝總面積達2660平方
毫米。若每顆晶片配置四顆HBM記憶體,總記憶體堆疊將達16顆,DRAM總面積約1,366平方
毫米。據此來看,生產Ascend 910D晶片至少需要4020平方毫米的矽片面積。
儘管外界起初對Ascend 910D抱持保留態度,但專利資料顯示,華為正在積極研發該款四
晶片AI加速器,性能預計將超過輝達的H100。
除了910D,華為也傳正在研發Ascend 920的次世代AI晶片,預計與輝達H20一較高下。可
看出華為正快速擴大AI晶片版圖,加速實現晶片自主化。
心得/評論:
拼接?橋接?
這個新聞可以看出來duv可能到極限了
然後對面說的自研euv沒有他們說的這樣順利
IC設計優化也快到了極限
然後就是這個技術的耗能散熱還有體積問題
然後如果其中一片晶片壞了是否整顆報廢?
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.44.36.8 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1750228450.A.350.html
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不一樣吧他是把4顆910封裝在一起增大體積 增加耗能
COWOS是把不同的屬性的晶片用在一起減少體積 減少耗能
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華為贏過三星???
半導體方面輸
手機銷量方面輸
所以到底贏啥?
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