[新聞] 〈力積電法說〉DRAM漲價效應11月起顯現
原文標題:
〈力積電法說〉DRAM漲價效應11月起顯現 動能估延續至明年上半年
原文連結:
https://news.cnyes.com/news/id/6199382
發布時間:
2025-10-21 16:08
記者署名:
鉅亨網記者魏志豪
原文內容:
晶圓代工廠力積電 (6770-TW) 今 (21) 日召開法說會,總經理朱憲國表示,利基型
DRAM 因產能排擠效應影響,價格持續上漲,預期第四季投片量與價格都會上升,漲價的
效應將自 11 月起開始反映,記憶體動能可望將一路延續至明年上半年,有助獲利狀況改
善。
力積電預估,第四季產能利用率約與第三季持平,其中記憶體維持滿載、邏輯相對偏弱。
隨記憶體價格反映效益發酵、先進封裝布局成形,第四季獲利可望持續改善,並逐季朝正
向發展。
以記憶體跟邏輯市場來看,朱憲國說,隨著 AI 帶動 HBM 等高階記憶體需求爆發,利基
型 DRAM 因大廠將產能轉往 HBM 而受排擠,價格持續上漲;SLC NAND 因三星與 SK 海力
士減產,第三季也看到價格谷底翻揚;NOR Flash 受惠 AIoT 應用需求推升,也有漲價跡
象。
力積電感受到整體記憶體客戶投片意願轉趨積極,預期第四季量價齊揚,熱度可望延續
至 2026 年上半年,而公司為記憶體代工業者,相較市價反應較落後,預計將自 11 月起
開始反映漲價,且在供需持續緊張下,仍看好價格上漲。
邏輯製程部分,中國十一長假後消費性電子需求平淡,雙 11 備貨潮不如以往,個大品牌
業者也普遍保守看待,此外,歐美車廠稼動率僅約 55%,力積電坦言,年終消費旺季面臨
挑戰,預期第四季稼動率大致維持上季。
先進封裝布局方面,力積電第三季 3D AI Foundry 產品線營收比重約 2%。力積電說,
Wafer stacking(晶圓堆疊) 已進入客戶驗證階段,預計明年下半年量產;中介層
(Interposer) 已有多家客戶完成設計定案 (tape-out),並達量產水準,將擴大產能滿足
客戶需求。
力積電也持續強化電源管理 IC 與功率元件,預期 PMIC、MOS、GaN 等相關產品將是為未
來營運重點之一,針對與 Navitas 的合作,則表示雙方合作已逾三年,隨著台積電
(2330-TW)(TSM-US) 退出 GaN 市場,客戶也將其 6 吋產品轉單至力積電。
心得/評論:
相信黃董! 不用到年底了 11月開始反映了!
難怪今天拉尾盤 NV的黃董不香了, 現在流行力gg 黃董
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