Re: [新聞] 力積電基本面優異 營運加速點火熱到明年
不參考坊間的小道消息
純粹是以一個帶有記憶體體質的晶圓廠
判斷目前價位還算是偏低 (vs 二線晶圓代工廠)
也參考了日本矽晶圓廠的季度報告
未來12吋晶圓需求還是會因為Data center, 記憶體應用而增加
堅定不移!
※ 引述《gametheory (正直和善良會回來)》之銘言:
: 這邊鄉民應該很多都在半導體科技業
: 單純從Foundry 技術來看,PSMC有12吋、有第三代半導體、以及有很大一部分的記憶體
業
: 績加持(最近市場很火)
: 感覺應該比5347世界要有競爭力
: 所以預訂的停利點是目前世界90元附近的價位
: 另外想請問,
: 世界目前只有8吋量產(12吋還沒開始量產),為何股價還能這麼高?
: ※ 引述《DrowningPool (My broken dreams)》之銘言:
: : 原文標題:力積電基本面優異 營運動能加速點火熱到明年
: : 原文連結:https://money.udn.com/money/story/5710/9142008
: : 發布時間:2025-11-15
: : 記者署名:朱子呈
: : 原文內容:
: : 晶圓代工廠力積電(6770)上周強勢補量上攻,自10日以來日K連續築高、均線呈現
「5
: 日
: : >10日>20日」多頭排列,上周五(14日)收34.15元、成交24.8萬張。驅動買氣的
關
: 鍵
: : 在基本面訊號轉佳,第3季虧損收斂、記憶體報價續揚,公司宣布11月起調整部分晶
圓
: 代
: : 工價格,市場預期第4季有望呈現量價齊揚態勢,熱度可望延續至2026年上半年。
: : 技術面維持偏多結構。10月中旬起MACD翻紅後高檔鈍化,11月初柱狀體雖一度收斂,
但
: : DIF仍在零軸之上;KD回到60至70區間反覆鈍化,均線上彎、短多慣性未破。價量來
看
: ,
: : 10月下旬的放量突破區間帶來有效支撐,短線若能續守月線與10日線,續挑戰前高的
機
: 會
: : 不低。
: : 觀察近五日,外資買超逾9萬張、自營商買超逾1.1萬張,投信小幅轉買,三大法人合
計
: 買
: : 超逾10萬張。根據14日券商分點資料顯示,買超前三大為港商野村、國票–天祥以及
新
: 加
: : 坡瑞銀,買超張數分別為12,684張、5,203張以及3,688張,屬於外資與券商交易部共
同
: 點
: : 火的格局,鎖定強勢股短波段。
: : 力積電近期舉行法說會,總經理朱憲國當時表示,記憶體市況火熱,利基型DRAM受產
能
: 排
: : 擠效應影響,價格持續上漲,預期第4季投片量與價格都會上升,漲價效應自11月起
開
: 始
: : 反應,記憶體動能可望將一路延續至明年上半年,有助改善獲利。
: : 力積電預估,第4季產能利用率約與第3季持平,記憶體維持滿載、邏輯相對偏弱。隨
記
: 憶
: : 體價格反映效益發酵、先進封裝布局成形,第4季獲利持續改善,虧損逐季收斂。
: : 力積電透露,3D AI Foundry相關產品第3季已占營收約2%;多款中介層(Interposer
)
: 完
: : 成設計定案且試產良率達量產水準,將擴大投片承接高頻寬、高密度需求;WoW與多
家
: 客
: : 戶處於PoC階段,預估明年下半年具備量產條件。這組訊息為股價提供中期支撐。
: : 以記憶體跟邏輯市場來看,朱憲國說明,AI帶動HBM高階記憶體需求爆發,利基型DRA
M
: 因
: : 大廠將產能轉往HBM而受排擠,價格持續上漲;SLC NAND因三星與SK海力士減產,第3
季
: 價
: : 格谷底翻揚;NOR Flash因AIoT應用需求推升,有漲價跡象。
: : 綜觀盤勢與消息面,短線有漲價與記憶體動能走強,中期則有先進封裝與客戶投片意
願
: 轉
: : 強。籌碼雖進入高檔換手,但主力仍以外資與大型券商為主,配合均線多頭與量能不
失
: 控
: : ,若後續整理後放量突破35~37元區間,有望開啟下一段行情。
: : 力積電10月合併營收41.34億元,較9月39.52億元增加約4.6%,年增約5.6%;累計前
十
: 月
: : 達383.69億元、年增約2.3%。第3季合併營收達118.4億元,季增5%、年增1.6%;稅後
淨
: 損
: : 27.28億元,每股稅後淨損0.65元。
: : 心得/評論:
: : 莫非是年底到了 該懂得就懂了
: : Q3賠錢 法說會說Q4產能利用率差不多
: : 新聞跟我說基本面優異?
: : 不愧是台股 越_越噴!!!!
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