[新聞] 華為手機處理器受困 7 奈米,與競爭對手差了三代
原文標題:華為手機處理器受困 7 奈米,與競爭對手差了三代
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發布時間: 2025 年 12 月 01 日 11:40
※請以原文網頁/報紙之發布時間為準
記者署名: Atkinson
※原文無記載者得留空
原文內容:
外媒報導,華為即將於2025年下半年推出新一代旗艦智慧型手機「Mate 80」,但其核心
「行動處理器」(AP)的量產製程傳出受阻,恐將採用 7 奈米製程技術,而非先前預期
的 5 奈米製程的情況。
市場分析認為,由於美國對半導體先進設備(特別是EUV極紫外光曝光機)實施出口管制
,華為與其主要代工夥伴中芯國際(SMIC)在開發先進製程方面遇到了瓶頸,導致5奈米
量產出現了差池。
當前,智慧型手機的人工智慧(AI)功能日益複雜與高階化,驅動這些功能的 AP 需要最
先進的製程來最大化電力效率和性能。AP 是晶圓代工廠最先應用尖端製程的產品類別之
一。然而,中國因美國的限制,無法進口用於先進製程的半導體設備,例如EUV曝光機。
儘管華為透過與中國最大晶圓代工廠中芯國際(SMIC)合作,試圖尋求替代方案,並使用
EUV的前一代設備的深紫外光(DUV)曝光機,透過重複曝光來量產7奈米以下的AI晶片,
但業界普遍認為,此類方法生產的晶片良率和性能與競爭對手相比仍較為低落。
市場曾預期中芯國際已開發出5奈米製程,並將用於華為下一代AP的量產。不過,現在傳
出5奈米製程的量產計畫受阻,華為據傳將轉而利用已用於生產舊款AP的7奈米製程來生產
即將搭載於Mate 80的「麒麟9030」(Kirin 9030)晶片。而且,為了彌補製程上的不足
,華為的策略是透過優化手機設計與製程本身,預期能使麒麟9030的整體性能指標較前一
代提升約20%。
報導指出,華為已在中國深圳建設了先進生產線,目的在透過7奈米製程量產自家的AI半
導體和AP,這是其試圖自主生產先進半導體的嘗試。然而,即使有設計上的提升,製程技
術的差距依然明顯。根據基準性能指標顯示,由中芯國際7奈米製程生產的「麒麟9000s」
晶片,其性能水準與高通(Qualcomm)三年前Snapdragon系列晶片相類似。
業界關係人士指出,雖然華為正透過大幅改善設計和製程來提高晶片性能,但與高通和蘋
果設計的AP相比,仍存在約三年的技術水準差距。當前,全球智慧型手機領導廠商如蘋果
、三星、小米等,已在其高端產品中搭載採用3奈米製程的AP。此外,蘋果和三星電子預
計將在下半年開始量產採用2奈米製程的AP。
市場分析師指出,由於難以在AP製造上應用尖端製程,華為智慧型手機的性能可能會持續
落後於競爭對手。一位半導體業內人士警告,隨著美國對中國的半導體管制日益嚴格,如
果華為在5奈米製程量產上持續遭遇困難,其智慧型手機的性能差距可能會進一步擴大。
這對華為的硬體競爭力構成了嚴峻的挑戰。
心得/評論:
中芯被卡脖子
想只用DUV重複曝光來生產5奈米晶片
看來仍有無法克服的瓶頸
華為被迫繼續用7奈米
而競爭對手們也不是閒著
都在持續開發更先進的製程
差距始終存在,且可能進一步擴大
※必需填寫滿30正體中文字,無意義者板規處分
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