[新聞] 搶 2026 年NAND Flash 市場商機,中國長江存儲武漢三期將提早在下半年量產
原文標題:搶 2026 年NAND Flash 市場商機,中國長江存儲武漢三期將提早在下半年量產
※請勿刪減原文標題
原文連結:
https://technews.tw/2026/01/30/china-yangtze-memory-technologies-co-ltd-s-wuhan-phase-iii-project-will-begin-mass-production-ahead-of-schedule-in-the-second-half-of-the-year/
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發布時間:發布日期 2026 年 01 月 30 日 15:30
※請以原文網頁/報紙之發布時間為準
記者署名:About Atkinson
多年在財經媒體的工作資歷,深入理解電子與科技產業的發展過程與趨勢,亦曾經在電子
媒體製作相關財經節目,為觀眾剖析當前最即時的財經資訊與新聞。
※原文無記載者得留空
原文內容:
外媒報導,全球半導體競爭日趨白熱化的背景下,中國最大的 NAND Flash 快閃記憶體製
造商──長江存儲(YMTC)正以驚人的速度推進其產能擴張計畫。據最新消息指出,長江
存儲位於中國武漢的第三期投資項目正採取「史無前例」的快速建設策略,原定於2027年
才能達成的大規模量產目標,有望提前至2026年下半年正式啟動。
長江存儲的武漢三廠於2025年 9 月才正式動工,按照常規半導體建廠週期,外界原先預
估該廠要等到2027年才能具備正式量產能力。然而,來自中國當地的半導體業界人士透露
,長江存儲近期已開始密集進行 NAND Flash 生產設備的採購訂單發送與工廠啟動設置作
業,顯示其時程表已大幅調整。
消息人士分析指出,從動工到開始量產僅歷時約一年,這在業界極為罕見。這意味著長江
存儲採取了一種彎道超車的戰略,即在工廠主體建築尚未完全完工的情況下,就同步搬入
部分設備並進行生產線的早期調試與運作。
而這種極速擴產的背後,是長江存儲為了在 NAND Flash 市場迎接超級循環週期(Super
Cycle)時強化自身全球地位的精心佈局。與市場供應商相對集中的 DRAM 領域不同,
NAND Flash 市場競爭者眾多,除了三星電子、SK 海力士、美光(Micron)之外,還包括
日本的鎧俠(Kioxia),以及中國的長江存儲等。儘管當前受惠於人工智慧(AI)熱潮,
市場需求壓倒性地大於供給,但由於供應商眾多,價格競爭的風險始終存在,這迫使長江
存儲必須以速度換取市場空間。
報導指出,除了產能擴張速度驚人,長江存儲在技術層面的突破同樣引發關注。近期有分
析指出,長江存儲在 NAND Flash 的生產技術實力上,已幾乎追上三星電子與 SK 海力士
等行業大廠。具體數據顯示,長江存儲目前已掌握 270 層 3D NAND Flash 的生產技術。
雖然與三星電子的 286 層及 SK 海力士的 321 層技術相比仍有微小差距,但這一鴻溝正
在被快速縮小。更為關鍵的是,受惠於長期的資本投入,以及積極延攬外部專家,長江存
儲在生產良率與穩定性方面獲得了高度評價,被認為已具備與全球領先企業一較高下的實
力。
值得注意的是,長江存儲此次積極的擴產行動,是在美國商務部將其列入實體清單(
Entity List)、嚴格限制其進口尖端製造設備的背景下進行的。儘管面臨外部制裁壓力
,長江存儲仍於2025 年 9 月毅然啟動武漢三期工廠建設,展現了在 NAND Flash領域持
續崛起的態勢。
中國當地業者分析,長江存儲之所以選擇此時發力,是因為洞察到了競爭對手的戰略重心
轉移。一位業界人士表示,長江存儲將2026年視為擴大 NAND Flash市場占有率的黃金時
刻。其由於三星電子與 SK 海力士2026年將主要資源與重心傾斜至利潤更高的 DRAM 以及
AI 專用的高頻寬記憶體(HBM)領域,這給了長江存儲在 NAND Flash 市場攻城掠地的
絕佳機會。在技術能力提升、產能擴大,以及中國政府將其視為在地企業重點支援對象的
多重因素加持下,預計在未來 1 至 2 年內,長江存儲在全球 NAND 市場的影響力將顯著
增強。
目前,長江存儲的強勢崛起已直接反映在市場數據上。根據市場研究機構 Counterpoint
Research 的統計,以 NAND 出貨量為基準,長江存儲的全球市占率在2025年第一季首度
突破 10% 大關。隨後的成長的趨勢不減,至2025年第三季,其市占率已攀升至 13%,較
前一年同期大幅成長了 4 個百分點。
這一統計資料具有里程碑意義,標誌著長江存儲的市場占比已逼近全球排名第四的美國美
光科技(Micron),顯示出中國NAND Flash的勢力正從「追隨者」向「主要玩家」的角色
轉變。因此,長江存儲透過武漢三廠的加速量產,不僅意在突破技術與貿易壁壘的封鎖,
更試圖在全球記憶體產業格局重組的關鍵窗口期,確立其不可忽視的市場地位。隨著2026
年下半年新產能的釋放,全球 NAND Flash 市場的競爭版圖恐將迎來新一輪的劇烈變動。
(首圖來源:長江存儲)
心得/評論:
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長江存儲(YMTC)提前半年量產 270 層 NAND
「長江存儲的速度在告訴市場:稀缺性是假象,產能競賽才是真相。」
而目前記憶體似乎正在從「缺」轉向「過剩」。
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