[新聞] 輝達調整AI記憶體路線，降堆疊、提速率，三星成為NVHBM早期核心供應商，研發8層

看板Stock (股票)作者madeinheaven時間27分鐘前 (2026/08/31 14:50)推噓8(8推 0噓 4→)

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原文標題：請勿刪減或自創標題，違者4-1處分，此行請刪除輝達調整AI記憶體路線，降堆疊、提速率，三星成為NVHBM早期核心供應商，研發8層 HBM4E 原文連結：網址超過一行，請用縮網址，連結不能點擊者板規 1-2-2 處分。 https://www.caiwennews.com/article/1573645.shtml 發布時間：請勿張貼超過3天新聞 2026-08-31 13:24:01 記者署名：財聞原文內容： 8月31日，據財聞海外資訊，輝達（NVDA.US）正在推行全新AI記憶體策略：不再一味追求更高堆疊層數，轉而降低堆疊層數、提升傳輸速率。在此背景下，三星電子成為輝達客製化高頻寬記憶體NVHBM的早期核心合作供應商。據悉，三星電子正依照輝達的技術要求，研發第七代產品8層版本HBM4E。此產品堆疊層數低於三星原本規劃的12層、16層方案。輝達對三星提出的速率指標為17-18Gbps，較三星 HBM4E初期樣品14.4Gbps的速率提升約20%。這款記憶體將用於NVHBM，適配輝達前一日剛對外公佈的專有技術標準NVLink。 8層設計顛覆了過往HBM產業的競爭邏輯。過去HBM依賴增加堆疊層數提升容量，從4層迭代至8層、再到12層。堆疊層數越高，DRAM晶片需打磨較薄，堆疊製程精度要求隨之抬升，後端製程難度加大，良率壓力顯著增加。反觀8層方案，能降低製造難度，更容易實現大規模供貨。外界解讀，這是輝達用來破解記憶體供給短缺的策略。輝達選擇把技術重心放在提升傳輸速率上。 NVHBM高機率將率先應用於明年發表的下一代 AIGPURubinUltra。 RubinUltra可將GPU之間互聯規模擴大8倍，互聯通道從72條最高拓展至576條。技術想法為：雖然單顆GPU記憶體容量因為HBM堆疊層數下降有所減少，但透過數百片搭載高速HBM的GPU互連組網，仍能拉高整體算力。在客製化HBM賽道，三星相比SK海力士（SKHY.US）和美光科技（MU.US）更具競爭優勢。 NVHBM除DRAM晶片以外，還需要具備邏輯基底晶片的設計製造能力，三星同時掌握兩類技術，可實現全流程一站式交付。一位業內人士表示：“三星已經憑藉HBM4證明行業頂尖的速率性能，在速率競賽而非高堆疊競賽中能夠充分發揮自身優勢。” 心得/評論：輝達改變HBM策略從單純追求容量轉向速率與互聯規模記憶體競賽邏輯正在被重新定義 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 118.166.205.82 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1788159058.A.B0A.html