Fw: [新竹] 交通大學 「深次微米元件與製程模擬]

看板learnyf (自學 自我學習)作者 (suehung)時間12年前 (2013/06/28 09:27), 編輯推噓0(000)
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※ [本文轉錄自 Refresh 看板 #1HpEPHtJ ] 作者: suehung001 (suehung) 看板: Refresh 標題: [新竹] 交通大學 「深次微米元件與製程模擬] 時間: Fri Jun 28 09:26:38 2013 交通大學「101年度半導體技術才培訓計畫」課程招生 歡迎瀏覽http://submic.ee.nctu.edu.tw,持續取得更多項訓練課程資訊, 「深次微米元件與製程模擬(實作課)」 開課日期:7月6日至8月3日(每週六) Am09:0-Pm16:40,共計33小時 =================================================================================== 講解當代深次微米半導體元件與製程之模式與 TCAD模擬軟體操作實務。本期課程以 Synopsys 的 TCAD 軟體出發,以淺顯的基本觀念解說 TCAD 模擬之基本指令,輔以範例 剖析讓學員了解模擬在深次微米元件與製程之使用程序與應用。並針對不同製程技術的深 次微米半導體元件進行上機實作。 有興趣者請趕快上網報名! http://submic.ee.nctu.edu.tw/curriculum/curriculum.php?Sn=384 課程大綱: 1. 背景簡介、模式基礎、模擬實務 2. TCAD軟體上機入門: 基本MOS製程模擬 3. TCAD軟體上機入門: 基本MOS元件模擬 4. TCAD軟體上機入門: 三維MOS元件模擬 5. TCAD軟體上機入門: Mixed Model元件模擬 6. TCAD軟體上機入門: CMOS 元件模擬 7. TCAD軟體上機入門: FinFET 元件模擬 8. TCAD軟體上機應用: 8.1. 矽鍺/鍺/III-V族 元件模擬特論 8.2. 全閘極場效應電晶體 模擬特論 8.3. 高介電常數金屬閘極模擬特論 8.4. 隨機暨製程參數擾動分析特論 8.5. 薄膜太陽能電池元件模擬特論 李義明 教授 交通大學電機系教授 經歷:美國麻州大學電機資訊工程系訪問助理教授、國家奈米元件實驗室電腦 模擬技術組組長、國家奈米元件實驗室奈米元件技術組組長、交通大學 電子與資訊研究中心助理教授、交通大學科技管理研究所合聘副教授、 工研院系統晶片中心技術顧問、潘文淵文教基金會研究考察獎 專長:奈米半導體元件模式與模擬、薄膜電晶體物理模型與參數萃取技術、電腦輔助設計 TCAD/ECAD、超大型積體電路設計與模擬 上課費用﹕.7000 備註:一般價 .6,000元 備註:特約廠商、學生、3人以上團報 .5,000元  備註:5人以上團報 開課地點﹕交通大學工程四館教室(新竹市大學路1001號) ※教室地點於開課行前通知 email中公佈。 --------------課程報名表-------------- ※報名時間:即日起至開課當天上課前 ※報名方式: 1.線上報名 http://submic.ee.nctu.edu.tw/curriculum/curriculum_signup.php?Sn=384 2.email回傳報名表 mingyu@nctu.edu.tw 3.傳真回傳報名表 03-5711992 4.連絡人:陳敏玉,分機31744 歡迎自行轉載 ------------------------------------------------------------------------------ 充電會版位址如下: PTT→分組討論區→生活娛樂館→Life_Plan 人生→Refresh【充電板】─終身學習 ------------------------------------------------------------------------------ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.113.11.227 ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ※ 轉錄者: suehung001 (140.113.11.227), 時間: 06/28/2013 09:27:20
文章代碼(AID): #1HpEPvTG (learnyf)
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