[問題] 請問一些電子學的概念

看板Examination (國家考試)作者 (eric)時間12年前 (2014/02/07 22:34), 編輯推噓2(209)
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[問題] 請問各位大大 http://ppt.cc/9Icm 為何答案D FET是負溫度係數 FET沒有熱逃脫,所以應該是正溫度係數不是嗎?? 還是不是這樣分呢 http://ppt.cc/1UFM 還有這題第四題答案是A N_MOS的body要接最低電壓是什麼意思呢 所以反推P_MOS的body要接最高電壓嗎?? http://ppt.cc/EZdo 第13題答案是B 有人可以幫解嗎 請各位幫解 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.230.143.122

02/07 22:51, , 1F
加「http://」例如 http://ppt.cc/9Icm
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02/07 22:52, , 2F
想加上去的話 大寫E可以修改文章
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※ 編輯: eric79830 來自: 61.230.143.122 (02/07 23:12) ※ 編輯: eric79830 來自: 61.230.143.122 (02/07 23:56) ※ 編輯: eric79830 來自: 61.230.143.122 (02/07 23:58)

02/08 00:23, , 3F
第一題,選"錯"的
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02/08 00:25, , 4F
第二題,body通常是接地~ 去翻一下"body effect"
02/08 00:25, 4F

02/08 00:41, , 5F
第三題,參考主極點近似法,主極點須是其它極點或零點頻率的
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02/08 00:43, , 6F
1/4被以下,取LOG2為底可得-2,但題意"低"幾個,所以答案是2
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02/08 02:21, , 7F
第一題 選項二才是錯的吧 0.0 寫相反了不是嗎~
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02/08 07:56, , 8F
第一題,答案是(b)剛好相反
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第一題的D參考FET的溫度效應:T↑,1.ΔVtn/ΔT=-2.2mv/。C
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02/08 08:06, , 10F
2.μn(載子遷移率)↓→Kn(=1/2μnCoxW/L)↓,由1.2→Id↓
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02/08 08:19, , 11F
第一題,參考BJT的溫度效應
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文章代碼(AID): #1IzExrvn (Examination)
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