Re: [閒聊] 見習後才發現工程師沒那麼好當!
我不知道有沒有書專門說LED的光罩設計,
但其實和大多數IC設計相比,
LED的光罩設計相形之下要單純許多,
它不需要複雜的接線,
只要做出diode即可.
光罩的設計目的是在epi wafer(ie.已經有磊晶層的晶圓)上做出每道製程的圖案
以InGaN(藍光或綠光)LED為例,
光罩首先要考慮chip size(通常是老闆考慮),
而圖形再依照不同製程來決定
而製程的安排首先取決於chip的形式,
像Ni/Au製程,ITO製程和flip chip製程是不太相同的,
必須先考慮好每一步製程要怎麼做,以及製程順序要怎麼安排,
才能夠決定每一道光罩的圖形.
在設計時這是最重要的一步,
每一道光罩都要留對準誤差,
也要考慮製程的線寬誤差,
(像一樣是鍍金屬,用lift-off或photo etching做出來的線寬就是不同)
還要考慮不同清洗或蝕刻方式的影響;
確認製程可以做出電性ok的chip後,
考慮圖形對亮度和可靠度會造成的影響,
像P-ohmic contact的製作對current spreading和正面亮度有絕對的影響,
N-ohmic contact的形狀對current spreading也很重要,
Pad會有遮光的考量,
passivation則盡量保護表面和提高出光量;
光罩設計分高下的地方通常在亮度及可靠度,
大多數工程師設計的光罩一定做得出會發光,可量產,Vf,Ir都符合spec的LED chip,
但是同樣的epi wafer,
因為chip型式(像傳統Ni/Au就沒有ITO或FC那麼亮)
和圖案設計(強烈影響current spreading)
會造成亮度和可靠度的巨大差異;
當封裝產客戶有不同需求時,
光罩的圖形當然要跟著改;
常見的原因是因為要做更薄的SMD或是對光場有要求,
或者是打線,die bond有問題;
基本上每個客戶會有各自的考量,
目前能提供客製化chip的應該不多,
設計時大多考慮滿足多數客戶需求即可....
當然,除了光罩圖案外,
chip的厚度,表面處理,封裝方式也都是要互相配合的,
目前chip業界大多仍以亮度為設計指標,
封裝廠再來考慮光場,
但我覺得未來兩者的交流應該會更多,
一些特殊規格還是要互相配合才容易做得到....
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推
08/29 21:29, , 1F
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