[新聞] 第三代半導體 功率元件新主流 3檔吸睛
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原文標題:第三代半導體 功率元件新主流 3檔吸睛
(請勿刪減原文標題)
原文連結:https://ctee.com.tw/news/tech/524525.html
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發布時間: 2021.09.30
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容:
新冠肺炎疫情衝擊全球車市,但卻加速電動車的發展,隨著特斯拉、奧迪、豐田等一線車
廠的新款電動車進入量產,加上美國及歐盟已確定政策上要求提高電動車銷售比重,電動
車功率元件需求大爆發,包括氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等第三代寬能隙化合物半導
體,已經大量應用在電動車的電力系統。
另外,第三代化合物半導體的高頻高壓、高能源轉換效率等特性,讓GaN及SiC開始被大量
應用在5G電信基礎建設及射頻元件,GaN也成為手機快充的重要解決方案之一。業界看好
GaN及SiC將成為未來功率元件新主流,並預期隨著晶圓製造成本逐年大幅降低,智慧型手
機、筆電及平板電腦、物聯網、車用電子的電源系統都會導入GaN或SiC方案。
業者分析,第三代化合物半導體製程除了耐高電壓、低導通電阻、低切換損失等特色外,
也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢,適合電動車或5G應用。國內業者近年來亦
積極投入相關技術研發及產能布局,包括台積電結盟意法半導體搶攻GaN市場,第二代
650V和100V的E-HEMT已全產能量產,世界先進與客戶合作開發8吋GaN製程將在年底小量出
貨。
再者,漢磊及嘉晶投入GaN及SiC技術研發多年。在晶圓代工部份,30V~350V電壓6吋矽基
GaN製程進入量產,600V~1200V電壓4吋SiC製程及1700V電壓6吋SiC製程產能已順利開出
。在磊晶圓部份,矽基GaN磊晶完成650V電壓技術開發,1700V及3300V電壓SiC磊晶平台也
已完成建置。
心得/評論: ※必需填寫滿20字
氮化鎵和碳化矽在未來會打進我們生活
第三代半導體概念股磊哥嘉嘉拉回可以多做留意
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我要打!繼續打!把你打到哭出來!
這傢伙也許是個好人呀!所以我想試探一下,我們總不能初次見面就認定他是壞蛋吧?
你失敗的原因只有一個,那就是你惹火了我。
好清爽的感覺!就像是在新年的早上換上新內褲一樣的感覺啊
所謂的覺悟,不是抱定犧牲的決心,而是在黑暗的荒野中,劈出前進的道路!
哇塞!這真是『人類的黎明』啊!
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.112.125.34 (臺灣)
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