[新聞] 大陸製DUV生產65奈米晶片硬扯8奈米 遭中外媒體打臉已刪文
https://udn.com/news/story/7333/8233652
大陸製DUV生產65奈米晶片硬扯8奈米 遭中外媒體打臉
林宸誼
大陸工信部9月初公布的「首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)」的
通知中,列出全新自製DUV曝光機,分辨率為5nm,套刻精度nm,讓許多大陸民眾樂
翻,高喊大陸突破美國封鎖,「可生產8奈米晶片」。
沒想到卻慘遭中外媒體打臉,認為此款新的DUV曝光機僅能生產65奈米或以下晶片,有人
看到「套刻8nm」就認為這是8奈米曝光機,令人啼笑皆非。
大陸科技媒體「芯智訊」報導,根據大陸工信部公布的資料顯示,「積體電路生產裝備」
項目列出氟化氪曝光機和氟化氬曝光機,氟化氪曝光機就是老式的248奈米光源的KrF曝光
機,分辨率為10nm,套刻精度5nm;氟化氬曝光機則是193奈米光源的ArF曝光機(
DUV曝光機),但揭露的這款仍是乾式DUV曝光機,而非更先進的浸沒式DUV曝光機(也稱
為ArFi曝光機)。
從工信部揭露的參數來看,此DUV曝光機解析度為5nm,套刻精度nm。雖然相比之前
上微的SSA600曝光機有所提升(解析度為90nm),仍並未達到可以生產28奈米晶片的程度
,更達不到製造什麼8奈米、7奈米晶片的程度,許多網友直接把套刻精度跟曝光製程節點
水平搞混。
報導指出,65nm的分辨率,代表能夠達到的製程節點大概就是「65奈米」左右。有人一看
到「套刻8nm」就認為是8奈米曝光機,令人啼笑皆非。
套刻精度則指的是每一層曝光層之間的對準精度。眾所周知,晶片的製造過程,是將很多
層的曝光圖案一層一層的實現,並堆疊而成。一層圖案曝光完成後,需要再在上面繼續進
行下一層圖案的曝光,而兩層之間需要精準對準,這個對準的精度就是套刻精度,並不是
指能夠製造的晶片的工藝製程節點。
科技媒體「WccfTech」則認為,大陸新公布國產DUV曝光機至少落後美國15年,因為荷蘭
半導體設備巨擘 ASML 的客戶,至少在 2009 年就可以透過ArF 曝光機生產晶片。
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