[新聞] 挑戰 HBM 王者地位!英特爾 ZAM 記憶體頻寬達 HBM4 兩倍,容量、散熱更具優勢
挑戰 HBM 王者地位!英特爾 ZAM 記憶體頻寬達 HBM4 兩倍,容量、散熱更具優勢
https://technews.tw/2026/05/04/intel-zam-memory/
英特爾 Z-Angle Memory(ZAM)技術已接近完成階段,並正全力投入 AI 市場浪潮,試圖
挑戰 HBM 作為高頻寬記憶體主流方案的地位。
做為高頻寬、高容量市場的重要創新,ZAM 正在記憶體產業引發高度關注。這項技術由英
特爾與軟銀(SoftBank)共同開發,目標是提供低功耗、高密度的解決方案,以取代 HBM
。
根據最新資訊,ZAM 記憶體的頻寬預計將達到 HBM4 的兩倍,並可與預計次世代 HBM4E
相媲美。ZAM 預計在 2028 年至 2030 年間進入量產階段。在 2026 年 VLSI 研討會上,
Intel 與軟銀旗下子公司 SAIMEMORY 預計將進一步揭露相關細節。
在架構設計上,ZAM 採用 9 層堆疊設計,其中單一堆疊包含 8 層 DRAM,每層之間僅有
3 微米矽基板,並由主基板上的單一邏輯控制器(Logic Controller)統一管理。該技
術包含三層主要的矽穿孔(TSV)結構,每層透過混合鍵合(Hybrid Bonding)配置
1.37 萬個互連路徑。
在容量與效能方面,ZAM 每層提供 1.125GB 容量,使單一堆疊達到 10GB,整體封裝可達
30GB。堆疊面積為 171mm2 ,每平方毫米提供 0.25 Tb/s 頻寬,單一堆疊總頻寬可達
5.3 TB/s。
儘管 HBM 目前仍是 AI 加速器與 GPU 的主流記憶體方案,但隨著規格提升,已面臨發熱
與功耗等結構性挑戰。ZAM 則針對高密度、寬頻寬與低功耗進行優化,其垂直結構有助於
散熱,避免傳統佈線層造成的熱堆積問題。
ZAM 的主要優勢包括極高頻寬密度:約 0.25 Tb/s/mm2 ,顯著高於 HBM;更低功耗:針
對資料傳輸能耗進行優化;更佳散熱管理:垂直架構降低熱累積;更高堆疊潛力:支援
9 層以上堆疊,採用 3μm 超薄矽基板;先進互連技術:包含磁場耦合無線 I/O 與混合
鍵合;AI 工作負載優化:針對生成式 AI 的記憶體瓶頸設計。
ZAM 的最終目標是透過 3.5D 封裝技術實現高密度 3D 記憶體整合,將高頻寬大容量記憶
體、電源與接地軌(Power/Ground rails)、矽光子(Silicon Photonics)及傳統 I/O
整合於單一基板上。
INTEL一直漲,要重返榮耀了嗎,會不會漲到200....
最近半導體真的很瘋狂
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※ 編輯: pl132 (180.177.203.113 臺灣), 05/04/2026 22:23:10
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