[新聞] 中國在「半導體奧運」持續躍進，美國陷入頹勢

看板Tech_Job (科技人)作者Lsamia (samia)時間2小時前 (2026/03/17 18:17)推噓2(3推 1噓 10→)

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https://zh.cn.nikkei.com/columnviewpoint/column/61782-2026-03-17-05-00-05.html 中國在「半導體奧運」持續躍進，美國陷入頹勢日經BP精選在半導體積體電路的研發領域，中國在持續崛起。在2026年2月於美國舉辦的國際半導體會議「ISSCC 2026（國際固態電路會議）」上，來自中國的入選論文佔總數的近四成（圖1）。曾坐擁近五成入選率的美國受英特爾業績低迷等因素影響，佔比跌破兩成。以大學和研究機構的研究為主，中美兩國之間的實力天平已大幅向中國傾斜。 https://zh.cn.nikkei.com/images/2026/02/0228/0301-A-1-L.jpg

ISSCC是半導體積體電路領域的頂級國際會議，被譽為半導體界的奧林匹克。受生成式 AI（人工智慧）運算能力需求擴大以及各國半導體振興政策的推動，ISSCC 2026的投稿論文數量達到1025篇，同比增長12%，首次突破1000篇大關。最終入選論文257篇，入選率僅 25.1%，創歷史新低，競爭較往年更為激烈。入選論文中，8成來自大學和研究機構，2成由企業提交。投稿論文數量再創新高 ISSCC 2026的程式委員會於2025年11月27日在東京都內介紹了會議舉辦概要。亞太區副主席、信州大學教授宮地幸祐表示：「投稿論文數量連續三年創下歷史新高，這一趨勢並非曇花一現，中國的表現依舊亮眼」包括香港和澳門在內，中國此次的入選論文為96篇，比上年增加4篇，佔全部入選論文的37%。其中，清華大學以18篇的成績遙遙領先，早已成為ISSCC常客的北京大學、澳門大學、復旦大學也躋身入選論文數量前列。與之形成對比的是美國持續低迷。美國的入選論文數量為50篇，同比減少5篇，國別佔比僅19%。2023年，中國首次在ISSCC入選論文數量上超越美國登頂，此後兩國間的差距不斷拉大。此前常年有近10篇論文入選的英特爾此次僅4篇入選。宮地幸祐認為：「可能是英特爾的低迷對整體産生影響」。日本略有回升日本入選論文數量同比增加4篇，達到12篇，呈現小幅回升態勢。東京科學大學有3篇論文入選，東芝和瑞薩電子各有2篇入選。日本其他企業中，索尼集團子公司索尼半導體解決方案、旭化成子公司旭化成電子也各有1篇論文入選。從地區分佈來看，亞太地區（APAC，原遠東地區）的入選論文佔比達66%。美洲地區（AM，原北美洲）佔比20%，創歷史新低。歐洲地區（EWAA，原歐盟）佔比14%，略有上升。亞太地區中，台灣的入選論文數量同比減少9篇，降至11篇，歐洲地區中，義大利和荷蘭的入選論文數量增加。英偉達發佈光電融合技術程式委員會還介紹了各技術領域的重點關注論文。在處理器相關領域，美國超微半導體（AMD）面向AI的GPU（圖形處理半導體）「MI350」、南韓半導體新創企業 Rebellions的AI專用系統級半導體（SoC）備受關注。 https://zh.cn.nikkei.com/images/2026/02/0228/0301-A-3-L.jpg

MI350是AMD為抗衡美國英偉達而推出的GPU，已於2025年下半年開始出貨。該産品將3nm的運算半導體與6nm工藝的輸入輸出半導體進行三維堆疊，AI推理性能比上一代實現提升。數字電路領域的重點關注論文之一是瑞薩電子為軟體定義汽車（SDV）研發的SoC 。採用3nm工藝技術和芯粒整合技術，實現了 400TOPS（每秒400萬億次運算）的AI處理性能。這款SoC被命名為「第五代R-Car」系列，預計2027年實現量産出貨。在圖像感測器領域，索尼半導體發佈單光子雪崩二極體（SPAD）方式的測距感測器技術。該技術面向增強現實（AR）/虛擬現實（VR）終端，採用鍺（Ge）製作SPAD，實際驗證了低功耗測距。三星發佈HBM4 在記憶體領域，美國閃迪（Sandisk）和鎧俠繼上年之後，又發佈第十代三維NAND 記憶卡。堆疊332層存儲單元，採用4比特/單元的多值存儲技術，存儲容量達2TB的半導體。存儲密度達到每平方毫米37.6Gbit，號稱行業最高。最早將於2026年開始量産。在電源管理領域，東芝表現亮眼。該公司發佈兩篇論文，包括配備於純電動汽車的碳化矽（SiC）功率半導體驅動IC（積體電路）等。在有線通信領域，英偉達發佈將部分電氣電路替換為光電路的光電融合技術。將 7nm工藝的半導體積體電路與65nm工藝的光電轉換電路進行三維堆疊，成功驗證了單根光纖每秒256Gbit的數據傳輸。三星電子發佈的第六代高頻寬記憶體（HBM）「HBM4」也備受矚目。在面向生成AI 需求迅速擴大的HBM方面，三星此前落後於南韓SK海力士，而HBM4成為其發起反超的關鍵技術産品。這是一款36GB産品，將12顆1c（10奈米級第六代）的動態隨機存取記憶體（ DRAM）半導體與4nm工藝的基底半導體（控制電路）進行三維堆疊。預計2026年量産 == 今年台灣投稿的數量也比較低一些，不知道能不能也怪到國會齁? == -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.130.78.83 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1773742635.A.D8F.html ※ 編輯: Lsamia (220.130.78.83 臺灣), 03/17/2026 18:23:46