[新聞] 中芯國際7nm工藝Q4季度問世:性能提升20% 功耗降低57%
1.原文連結:
http://news.mydrivers.com/1/674/674728.htm
2.原文內容:
中芯國際7nm工藝Q4季度問世:性能提升20% 功耗降低57%
台積電、三星今年就要量產5nm工藝了,國內的先進工藝還在追趕,最大的晶圓代工廠中
芯國際去年底量產了14nm工藝,帶來了1%的營收,收入769萬美元,不過該工藝技術已經
可以滿足國內95%的需求了。
14nm及改進型的12nm工藝是中芯國際第一代FinFET工藝,他們還在研發更先進的N+1括
N+2 FinFET工藝,分別相當於7nm工藝的低功耗、高性能版本。
根據中芯國際聯席CEO梁孟松博士所示,N+1工藝和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低
了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。
N+1之後還會有N+2,這兩種工藝在功耗上表現差不多,區別在於 性能及成本,N+2顯然是
面向高性能的,成本也會增加。
至於備受關注的EUV光刻機,梁孟松表示在當前的環境下,N+1、N+2代工藝都不會使用EUV
工藝,等到設備就緒之後,N+2工藝可能會有幾層光罩使用EUV,之後的工藝才會大規模轉
向EUV光刻工藝。
現在最關鍵的是中芯國際的7nm何時量產,最新消息稱中芯國際的N+1 FinFET工藝已經有
客戶導入了(不過沒公佈客戶名單),今年Q4季度小規模生產——這個消息比之前的爆料
要好一些,進度更快。
為了加快先進工藝產能,中芯國際今年的資本開支將達到31億美元(該公司一年營收也不
過30億美元上下),其中20億美元用於中芯國際的上海12英吋晶圓廠,5億美元用於北京
12英吋晶圓廠。
3.心得/評論:
沒想到那麼快中芯今年Q4就能小規模生產7nm
不知道是真的還假的
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.161.123.51 (臺灣)
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內文不是寫了中芯N+1是7nm的低功耗版本 N+2是7nm高性能版本
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※ 編輯: madeinheaven (1.161.123.51 臺灣), 02/27/2020 21:12:04
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