[新聞] 擴產近兩成：消息稱三星電子將在平澤 P4
原文標題：
擴產近兩成：消息稱三星電子將在平澤 P4 建設大型 HBM4 用 1c nm 記憶體產線
原文連結：
https://www.ithome.com/0/919/555.htm
發布時間：
2026/2/5 16:27:14
記者署名：
溯波
原文內容：
IT之家 2 月 5 日消息，韓媒 hankyung 當地時間今日報導稱，三星電子計畫在平澤 P4
晶圓廠綜合體建設一條用於生產 HBM4 記憶體所需 1c nm DRAM Die 的大型生產線。該生
產線計畫明年一季度投入生產，月產能達 10~12 萬片晶圓。
作為參考，三星電子在 2026 年的月均 DRAM 產能為 66 萬片晶圓，換句話說這一條生產
線就能貢獻總產能近 1/5 的製造能力。如果加上現有的約 6.5 萬片晶圓 1c nm 月產能
，那 HBM4 屆時將佔據三星 DRAM 產能的約 1/4。而在配套的 HBM4 Base Die 方面，平
澤 S5 的 4nm 生產線已全面投入營運。
與此同時，三星電子還計畫將華城 Fab 17 的現有 DRAM 生產線升級至 1c nm，以滿足移
動裝置、家用電器等對先進通用型記憶體的需求。
心得/評論：
三星電子擴產HMB4產線 預計明年Q1投產
通用記憶體方面將把華城 Fab 17現有DRAM產線升級至1cnm
各大DRAM廠擴產展望
https://i.urusai.cc/AR5zT.jpg
根據Counterpoint Research數據
今年Q1伺服器用 64GB DDR5 DRAM價格較去年Q4上漲98%
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