[新聞] 三星電子計畫第三季量產SiC功率半導體樣品
原文標題：
三星電子計畫第三季量產SiC功率半導體樣品
原文連結：
https://www.cls.cn/detail/2313923
發布時間：
2026年03月16日14:09:15
記者署名：
※原文無記載者得留空
原文內容：
《科創板日報》16日訊，三星電子計畫於今年第三季量產SiC（碳化矽）功率半導體樣品
，該公司近期已訂購原料和組件。據悉，三星電子將量產的首款樣品是一款平面SiC
MOSFET。 MOSFET是一種用於開關和放大電子訊號的電晶體。 (ZDnet)
心得/評論：
三星終於要量產碳化矽（SiC）功率半導體了
2023年聘請前安森美（Onsemi）事業負責人
因受到研發和資本集中投資到HBM等記憶體領域
所以進軍碳化矽等新業務較原計畫有所延遲
今天三星電子股票收盤價 188700 +2.83%
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※ 編輯: madeinheaven (36.229.21.105 臺灣), 03/16/2026 17:11:19
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