[新聞] 記憶體產能已談到2030年!DRAM漲勢熱 華邦電出招提前擴產
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記憶體產能已談到2030年!DRAM漲勢熱 華邦電出招提前擴產
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2026.08.20 03:00
記者署名:
工商時報 李娟萍
原文內容:
在AI帶動記憶體及先進封裝需求長期成長下,華邦電(2344)提前啟動高雄路竹廠擴產規
畫,將原定二、三期整併為Module B同步開發,預計2027年動工興建無塵室,最快2029年
初開始裝機。
法人指出,華邦電第三季利基型DRAM與SLC NAND,均呈現供不應求,價格季漲幅估約50%
;NOR Flash則受惠雲端服務供應商(CSP)大客戶積極備貨,排擠其他應用供給,價格季
漲幅估約30%。
第四季記憶體價格漲幅雖估收斂至2~5%,但受惠DRAM產能增加及出貨量成長,法人估,
華邦電營收及獲利仍可維持季增走勢。
華邦電第二季合併營收598.43億元,季增56.4%、年增184.7%,其中,DRAM價格季增約
100%、Flash上漲約43%,合併毛利率升至66.2%,每股稅後純益(EPS)5.40元。
法人指出,代理式AI帶動記憶體容量與先進封裝需求增加,相關成長趨勢預期將延續相當
長時間,因此,華邦電已提前啟動Module B計畫。
依目前規畫,Module B預計2027年動工,最快2029年開始裝機,並依客戶需求預測(
Forecast)及LTA分階段導入設備。目前已有客戶提前洽談2029年、2030年產能。
Module B產品規畫涵蓋Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer(WoW)及矽電容(
Si-Cap),並將支援14奈米及未來12奈米DRAM製程,後續亦規畫導入EUV設備,為AI記憶
體及先進封裝需求預作準備。
其中,Si-Cap被法人視為華邦電在Logic、Memory之外的第三股潛在成長動能。
華邦電已投入約40億元建置專用Si-Cap產線,現有量產產品電容密度約3,300nF/mm2,最
新樣品則達約5,400nF/mm2,主要鎖定AI先進封裝及AI電源管理應用,法人預期最快2027
年第一季底步入量產。
心得/評論:
以往大家都將擴廠視為洪水猛獸
認為是景氣循環股的先行指標之一
但是記憶體這次真的不一樣了
在AI浪潮之下已變成前景大好的產業
也難怪各大廠紛紛擴廠提高自身的產能
※必須填寫滿30正體中文字,心得過短或濫竽充數將以板規 1-2-3 處分
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