[新聞] 晶圓代工誰技術領先? 英特爾:我最強已刪文
英特爾昨(29)日召開技術及製造大會(Technology and Manufacturing Day),除了再
度宣布10奈米Cannon Lake處理器將在下半年開始量產,重申10奈米晶片集積度(density
)是同業的2倍,大聲嗆聲技術領先台積電、三星等同業3年時間。
另外,英特爾也說明最新客製化晶圓代工(custom foundry)策略,以先進14奈米及10奈
米攻下在晶圓代工市場的灘頭堡。
另外,面對台積電推出優化28奈米及16奈米技術的22奈米及12奈米製程,及格羅方德(
GlobalFoundries)22奈米全耗盡型絕緣層上覆矽(FD-SOI)製程,英特爾也推出22奈米
鰭式場效電晶體(FinFET)的22FFL製程,並將其視為進軍晶圓代工市場的武器。
英特爾負責製造營運及業務的執行副總裁Stacy Smith,昨天在年度技術及製造大會中,
開宗明義強調摩爾定律仍然有效,且英特爾也因摩爾定律而維持技術領先地位。英特爾14
奈米製程雖然經歷3個產品世代,但第三代14奈米製程(14++)生產的晶片運算效能,已
經很接近第一代10奈米製程。
Stacy Smith說,英特爾技術仍依循摩爾定律前進,如10奈米的處理器晶片尺寸已縮小至
7.6平方公釐,只有14奈米晶片的0.43倍。英特爾10奈米的最小閘極間距已縮小至54奈米
,最小的金屬間距亦縮小至36奈米,而卻可以在每一平方公釐晶片尺寸中,達到1.008億
個電晶體的集積度,這不僅是14奈米的2.7倍,也是其它同業10奈米晶片集積度的2倍。
英特爾資深院士Mark Bohr指出,英特爾的製程微縮是跟著摩爾定律走,但部份同業在同
一晶片尺寸的集積度沒有明顯提升情況下,卻喊出已推出10奈米或7奈米製程,讓製程節
點的名稱失去意義。若由金屬及閘極間距、晶片集積度等指標來看,同業的10奈米只比英
特爾14奈米好一點,但仍遠遠落後英特爾10奈米約3年時間。
涂志豪╱台北報導
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