[新聞] 中國首台EUV曝光機原型機正式出光斥資400億美元建構自主半導體鏈路

看板Tech_Job (科技人)作者scitamehtam (新竹恐牙狼)時間1小時前 (2026/07/14 19:48)推噓1(3推 2噓 0→)

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https://news.cnyes.com/news/id/6532960 中國首台EUV曝光機原型機正式出光斥資400億美元建構自主半導體鏈路據《路透》與相關調查指出，位於深圳一座由中央科技委員會管理的保密設施內，首台全國產化的極紫外光曝光機 (EUV) 原型機已成功啟動，並穩定產生 13.5 奈米波長的極紫外光。報導稱，此進展意味著中國已在 EUV 技術鏈路上，從光源、光學系統到真空腔體實現初步貫通。相較於全球龍頭艾司摩爾 (ASML) 採用的 LPP(雷射激發電漿) 技術——即利用高功率雷射轟擊錫滴，中國研發團隊選擇了 LDP(雷射誘導放電電漿)10 倍以上，具備系統體積更小、功耗更低等優勢，有利於未來的規模化部署。陸媒矽基 LIFE 報導稱，這項被外界稱為「北京曼哈頓計畫」的發展，背後有著龐大的資源支撐。投資規模：由國家科技部牽頭，整合華為、哈工大、上海光機所、清華大學及中科院等機構，總投入金額估算達 370 億歐元 (約 400 億美元)。專利技術：截至 2026 年 6 月，中國在 EUV 領域的專利申請量已累計超過 1200 件。生產佈署：華為東莞基地預計於 2026 年第三季啟動 EUV 試驗性生產。據報導，目前全球 7 奈米以下先進製程晶片均需依賴 EUV 技術，而 ASML 單台 EUV 設備售價約 1.5 億美元。根據數據顯示，2026 年全球 EUV 相關市場規模約為 259.3 億美元，目前台積電掌握全球約 56% 的 EUV 裝機量。儘管中國已跨越光源門檻，但後續仍面臨極其嚴苛的挑戰，包括反射率要求極高的鉬 / 矽布拉格反射鏡、光阻劑靈敏度，以及光罩檢測等工程瓶頸。然而，在 EUV 量產前，中國已透過浸潤式深紫外光曝光機 (DUV) 配合自對準四重圖形技術 (SAQP)5 奈米級晶片的規模化量產，為先進製程提供了備援路徑。報導稱，若 LDP 技術路徑最終證明能提供更高的功耗效率，將可能對現有以 ASML 為首的供應鏈範式產生衝擊，並改變先進製程設備的市場稀缺紅利。心得：來自路透報導這算是重大突破嗎？每年這樣燒錢，也是大手筆是框錢，還是真的想做大事其實還沒很定論兩年後看能不能量產或許就比較明確了？ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 118.231.169.250 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1784029691.A.2A9.html

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