Re: [問題] 有關專利範圍的文字表達

看板Patent (專利)作者 (orson)時間15年前 (2010/06/04 09:06), 編輯推噓5(5024)
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※ 引述《falltasitic (天然呆>"<)》之銘言: : 假設有一個半導體結構 : A層下面是B層 : A層設計的比B層還要短(技術特徵) : 負責改我稿件的主管建議我寫成下面這樣 : 1、一個XXX結構,其包含: : 一A層,‥‥‥ : 一‥‥‥B層,‥‥為凸出結構 ...(略) : 而且A層和B層是平行相接的 ...(略) ███████ (A) ███████████ (B) ███████ (A) ███████████ (B) ███████ (A) ███████████ (B) ███████ (A) █████ (B) 要是哪一種? 還是都要保護? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.230.1.155 ※ 編輯: orsonplus 來自: 61.230.1.155 (06/04 09:08)

06/04 09:35, , 1F
不只這樣 如果在空白區域就填上無用的材料 就很有可能迴
06/04 09:35, 1F

06/04 09:36, , 2F
避掉突出的部分
06/04 09:36, 2F

06/04 09:49, , 3F
囧rz...
06/04 09:49, 3F

06/04 09:55, , 4F
寫凸出結構沒問題 但建議更為"一凸出結構" 然後再於說明
06/04 09:55, 4F

06/04 09:56, , 5F
書定義 突出結構是相對於何表面作突出則可
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06/04 09:58, , 6F
能供判斷的資料少了點,不知是否為邊沿突出?沒一個方向性
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06/04 10:06, , 7F
因該A層左右端各設一條假想線 B層至少一端超過該假想線
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06/04 10:12, , 8F
凸出有問題如果我B層下側面延伸一凸體B層是否叫也叫凸出
06/04 10:12, 8F

06/04 10:13, , 9F
可以 非常確定 我處理過好幾個這種案子的US答辯
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06/04 16:57, , 10F
好奇很久了想藉機問一下 如果在凸出結構前加個"一"字
06/04 16:57, 10F

06/04 16:58, , 11F
是固定用法嗎 我向來都沒加"一"耶
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06/04 16:59, , 12F
還有 如果加這種數字 那不會被魯成"一個"凸出結構的意思嗎
06/04 16:59, 12F

06/04 17:00, , 13F
所以其他人弄兩~三個 多數個凸出結構上去 就不叫做"一個"了
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06/04 18:24, , 14F
在功效沒有改變的情況下,也只是多數個"一凸出結構",可能
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06/04 18:25, , 15F
被視為下位,功效又沒變不具進步性,依然視為在權利範圍內
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06/04 18:27, , 16F
通常用"一/該"是對應於英文的a/the等冠詞(?) 會比較明確
06/04 18:27, 16F

06/04 19:28, , 17F
可能都不是你圖上表達的這樣喔~這要問天然呆
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06/04 19:59, , 18F
在原PO文章的推文中,已說明可用中心線、表面或相鄰面長度
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06/04 19:59, , 19F
來做各種說明比較。以下方式參考看看:
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一B層,在一第一方向上具有一第一長度;以及
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06/04 20:00, , 21F
一A層,與該B層相鄰而形成一接觸面,該接觸面在該第一方向
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06/04 20:00, , 22F
具有一第二長度,該第二長度小於該第一長度。
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06/04 20:14, , 23F
就算在空白區域填上其他材料C,C應該不會被認定是A層或B層
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06/04 20:14, , 24F
若有好幾段左右分離的B層,有任一B層符合claim就算落入
06/04 20:14, 24F

06/04 20:20, , 25F
總之,寫完claim,要思考會不會被迴避,然後再加實施例
06/04 20:20, 25F

06/04 20:20, , 26F
再修改Claim,不斷反覆,不過這樣不符合IF寫案要快的原則
06/04 20:20, 26F

06/04 20:41, , 27F
離開IF後,已經很久沒寫案了,在IH也幾乎不處理申請案了
06/04 20:41, 27F

06/04 20:41, , 28F
我的經驗是寫claim原則之一在於"claim的用字最好是中性的"
06/04 20:41, 28F

06/04 20:42, , 29F
盡可能選擇大家會做相同解讀的"用字",就是plain language
06/04 20:42, 29F
文章代碼(AID): #1C256fuv (Patent)
文章代碼(AID): #1C256fuv (Patent)