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[新聞] 隨著Imec突破GaN技術，加劇GaN與SiC在高電壓應用競爭

看板Stock (股票)作者 (zxcvxx)時間5年前 (2021/05/11 14:12), 編輯推噓14(17推 3噓 21→)
留言41則, 25人參與, 5年前最新討論串1/1
原文標題： 隨著Imec突破GaN技術，加劇GaN與SiC在高電壓應用競爭 (請勿刪減原文標題) 原文連結： https://bit.ly/3tCv76G (請善用縮網址工具) 發布時間： 2021年5月10日 (請以原文網頁/報紙之發布時間為準) 原文內容： 功率電子和汽車的需求不斷成長，使得化合物半導體的前景逐步看俏。畢竟，SiC與GaN在 較少的功率消耗下，具有較高的效率，已經成為航空太空、軍事和國防，以及汽車等領域 ，趨之若鶩的技術。 基本上，SiC和GaN半導體已開始用於車載充電、EV變頻器、和太陽能變頻器之中。但是， SiC比GaN貴，並且具有耐高壓的能力，因此SiC主要是用於電動車中有高附加值的應用領 域。到目前為止，電動車等高電壓（1200V）應用只能使用SiC技術。 但是隨著，半導體研究所Imec和設備製造商Aixtron已成功製造了適用於8吋晶圓的1200V 應用的GaN緩衝層之後，這一情況將改觀。 Imec是比利時研究實驗室，於2019年營收總計為6.4億歐元。而Aixtron是領先的GaN半導 體製程的MOCVD設備供應商。 基本上，8吋晶圓的GaN-on-Si技術要獲得650V以上工作電壓，一直是一種挑戰，因為要在 8吋的矽晶片上生長足夠厚的GaN緩衝層很困難。這一次Imec採用Aixtron的設備，已經開 發了適用於Qromis QST基板上1200V應用的GaN緩衝層外延生長，從而能夠實現與常規CMOS 類似的處理。展望未來，基於GaN的技術應可在20V至1200V的範圍內應用。 基本上，採用了比SiC便宜的GaN技術，這使得高性能化合物半導體的生產，將變得更加活 躍且具商機。在GaN半導體製程中，用於GaN層沉積的MOCVD設備非常重要。目前MOCVD設備 主要由美國的Veeco和德國的Aixtron製造。這樣的發展將對相關產業將產生影響。 根據Verified Market Research的數據，2020年全球GaN半導體器件市場的價值為16.3億 美元，預計到2028年將達到55.3億美元，從2021年到2028年的年平均複合成長率為16.53% 。如果未來GaN能夠拓展更多應用領域，其成長潛能將會加大。 2020年1月，Qromis獲得了由日本SPARX的未公開投資，其中很大一部分資金是來自於豐田 汽車。此外，Qromis還與日本信越化學簽署了專利授權協定，信越負責生產QST基板和 GaN-on-QST外延晶圓；而信越將借助QST基板擴充其現有的GaN-on-Si產品陣容。 由於，Qromis主要代工合作夥伴是Vanguard國際半導體（VIS），將關鍵技術授權給台積 電。這給GaN晶片大量生產，進而挑戰SiC地位帶來了希望。畢竟，具價格優勢的GaN，有 機會於未來一段期間，逐步打開電動車等高電壓應用的市場大門。 心得/評論： ※必需填寫滿20字 半導體研究中心成功開發出高電壓GaN晶圓材料，有機會擴展GaN在電動車上的應用，與 SiC競爭。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 203.145.192.245 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1620713570.A.CC7.html
推
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995
05/11 14:13, 1F
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05/11 14:13, 5年前 , 2F
現在沒空啦
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05/11 14:13, 5年前 , 3F
沒空
05/11 14:13, 3F
噓
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說中文
05/11 14:13, 4F
推
05/11 14:15, 5年前 , 5F
穩套
05/11 14:15, 5F
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05/11 14:16, 5年前 , 6F
GAN是什麼
05/11 14:16, 6F
推
05/11 14:16, 5年前 , 7F
營收嚇死人，利潤笑死人
05/11 14:16, 7F
推
05/11 14:18, 5年前 , 8F
第三代概念股
05/11 14:18, 8F
推
05/11 14:19, 5年前 , 9F
SiC比較便宜吧 技術成熟太多了
05/11 14:19, 9F
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05/11 14:19, 5年前 , 10F
鎵好像很貴
05/11 14:19, 10F
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05/11 14:19, 5年前 , 11F
逃命了啦還在傻多
05/11 14:19, 11F
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05/11 14:20, 5年前 , 12F
而且GaN不耐高溫才是根本原因
05/11 14:20, 12F
推
05/11 14:21, 5年前 , 13F
一堆外行亂講一通 快笑死
05/11 14:21, 13F
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05/11 14:21, 5年前 , 14F
要在車上用GaN 是很冒險的事
05/11 14:21, 14F
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05/11 14:21, 5年前 , 15F
比便宜 不如IGBT 比耐壓耐溫 不如SiC
05/11 14:21, 15F
推
05/11 14:21, 5年前 , 16F
沒空
05/11 14:21, 16F
推
05/11 14:22, 5年前 , 17F
99 3105
05/11 14:22, 17F
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05/11 14:22, 5年前 , 18F
GaN長在SiC上是因為晶格結構寬度相近 才能長出高品
05/11 14:22, 18F
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05/11 14:22, 5年前 , 19F
質的磊晶
05/11 14:22, 19F
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05/11 14:23, 5年前 , 20F
長在矽晶圓上，因為晶格差異太大 缺陷多
05/11 14:23, 20F
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05/11 14:24, 5年前 , 21F
現在有技術是長在矽晶上 缺陷可以壓低
05/11 14:24, 21F
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05/11 14:25, 5年前 , 22F
好處就是矽晶圓便宜到不行 又超大片 成本超低
05/11 14:25, 22F
推
05/11 14:25, 5年前 , 23F
他現在就是要在矽上先長一層GaN
05/11 14:25, 23F
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05/11 14:25, 5年前 , 24F
然後再用那層薄薄的GaN來長
05/11 14:25, 24F
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05/11 14:26, 5年前 , 25F
磊晶品質好的GaN 好處就是耐壓高 效率也比較好
05/11 14:26, 25F
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05/11 14:26, 5年前 , 26F
但我覺得這技術還有很長一段路啦
05/11 14:26, 26F
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05/11 14:28, 5年前 , 27F
效率好代表發熱小 變壓器轉換效率高
05/11 14:28, 27F
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05/11 14:29, 5年前 , 28F
QQ鬼扯～要營收獲利起碼要5年以上！
05/11 14:29, 28F
推
05/11 14:30, 5年前 , 29F
VIS不就世界先進
05/11 14:30, 29F
推
05/11 14:31, 5年前 , 30F
GaN的耐熱度太差了 要在高溫環境下運行
05/11 14:31, 30F
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05/11 14:31, 5年前 , 31F
其耐電壓的能力會比SiC差 而且有安全疑慮
05/11 14:31, 31F
噓
05/11 14:35, 5年前 , 32F
沒空
05/11 14:35, 32F
推
05/11 14:44, 5年前 , 33F
GaN的應用會來自高頻和低功率快充 SiC才是車用
05/11 14:44, 33F
推
05/11 14:48, 5年前 , 34F
這邊只會猜大小，你PO這個來幹嘛
05/11 14:48, 34F
推
05/11 15:00, 5年前 , 35F
強茂還在騙 幹
05/11 15:00, 35F
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05/11 15:08, 5年前 , 36F
8吋GaN, 6吋SiC
05/11 15:08, 36F
推
05/11 15:59, 5年前 , 37F
嘉晶?
05/11 15:59, 37F
噓
05/11 16:14, 5年前 , 38F
沒空
05/11 16:14, 38F
推
05/11 16:23, 5年前 , 39F
真的沒空
05/11 16:23, 39F
推
05/11 20:01, 5年前 , 40F
這邊一堆文組，可能還以爲GaN是幹勒，會跟你說股市
05/11 20:01, 40F
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05/11 20:01, 5年前 , 41F
就是賭博炒作，沒在看基本面derla
05/11 20:01, 41F
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