[新聞] 三星為手機帶來行動HBM

看板Stock (股票)作者madeinheaven時間14分鐘前 (2026/05/18 17:11)推噓7(7推 0噓 4→)

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原文標題：請勿刪減或自創標題，違者4-1處分，此行請刪除三星為手機帶來行動HBM 原文連結：網址超過一行，請用縮網址，連結不能點擊者板規 1-2-2 處分。 https://bit.ly/3Pr8jaY 發布時間：請勿張貼超過3天新聞 2026-05-18 10:40 記者署名： 90說科技原文內容：三星電子正在開發下一代HBM封裝技術，旨在為行動裝置提供高效能的裝置端AI。該技術結合了超高縱橫比銅柱和扇出型晶圓級封裝（FOWLP），並對現有的垂直銅柱堆疊（VCS）技術進行了改進。據業內人士12日透露，三星電子目前正在開發「多層堆疊FOWLP」技術。其目標是在智慧型手機和平板電腦等行動裝置中實現高容量、高頻寬的HBM。雖然伺服器級HBM已經具備高頻寬，但行動裝置在尺寸、厚度、功耗和發熱量方面面臨更嚴格的限制。傳統的行動記憶體（LPDDR）封裝採用銅線鍵合技術。此技術存在一些局限性，例如I/O介面數量有限（128-256個）、訊號損耗較大以及發熱量和能源效率較低。為了解決這些問題，三星電子先前推出了VCS技術，該技術採用階梯式堆疊DRAM晶片，並在其間填充銅柱。這項新技術採用超高縱橫比銅柱，將這項技術提升到了一個新的水平。 https://i.urusai.cc/im1NH.jpg

三星電子透過將VCS封裝中使用的銅柱的縱橫比從現有的3-5:1提高到15-20:1，顯著提升了頻寬。然而，當銅柱的直徑小於10微米時，彎曲或斷裂的風險也會增加；為了彌補這一缺陷，該公司採用了結合FOWLP製程的方法。 FOWLP是一種在晶片成型後將佈線向外延伸的技術，它起到支撐銅柱的作用。利用這種方法可以在相同的空間內放置更多的I/O端子，從而使頻寬提升15-30%，並允許儲存堆疊的數量增加1.5倍以上。由於這項技術仍處於研發階段，因此很難確定其量產或商業化的時間表。然而，預計這項技術最快可能在Exynos 2800或Exynos 2900的後續版本中推出。這套技術路線圖被認為是三星電子在其記憶體業務中，將重點放在以性能和穩定性為核心的高價值技術上，而非低成本和高效率策略的證據。業內人士認為，行動HBM的技術優勢將是決定三星未來在高階AI智慧型手機市場份額以及Galaxy AI能否成功實現差異化的關鍵因素。然而，由於伺服器、資料中心和AI加速器等領域對HBM的需求預計在短期內仍將保持強勁，一些人認為行動HBM的研發和量產速度可能會比原計劃有所延遲。一位業內人士解釋說：“鑑於伺服器和數據中心對HBM的需求依然旺盛，三星很難將所有資源都集中在移動HBM的研發上。”他補充道：“關鍵在於如何在技術成熟度和量產時機之間取得平衡。” 儲存雙雄，研發支出大增由於人工智慧儲存技術領域的競爭日益激烈，三星電子和SK海力士在第一季大幅增加了研發支出。根據兩家公司於5 月15 日發布的季度報告，三星電子在1 月至3 月期間的研發支出總額為11.34 兆韓元，比去年同期的9.03 兆韓元增加了25.5%。三星第一季研發成果之一是成功開發第六代高頻寬記憶體（HBM4）。該公司於2月宣布該產品開始量產出貨。該晶片採用10奈米級第六代1c DRAM製程製造。位於HBM堆疊底部的基極晶片負責控制電源和訊號傳輸，採用三星晶圓代工的4nm製程製造。三星也在開發HBM4E，並計劃在第二季度交付首批樣品。此外，三星在第一季完成了基於PCI Express 6.0的伺服器固態硬碟PM1763的研發。該公司還推出了將三種衛星通訊技術整合到單一晶片中的Exynos 5410，以及中階應用處理器 Exynos 1680。三星第一季總資本支出達11.23兆韓元，其中10.19兆韓元（約佔90.7%）分配給了裝置解決方案半導體部門。這些投資用於增強下一代儲存技術的競爭力，為中長期需求成長做好準備，並確保先進系統半導體節點的產能。三星計劃今年在設施和研發投資方面投入超過110 兆韓元，旨在推進人工智慧半導體技術的發展，並透過收購拓展機器人等新業務。三星電子副董事長兼總裁全英賢在3月的公司年度股東大會上表示，公司計劃今年大幅增加設施投資，並進一步加強對下一代製程和核心技術的先進研發投入。 SK海力士第一季研發總支出達2.55兆韓元，較上年同期的1.52兆韓元成長約68.3%。該金額占公司第一季營收52.58兆韓元的4.9%。人員費用佔比最大，達1.36 兆韓元，其次是其他費用，為8,612 億韓元，外包服務成本為1,603 億韓元，折舊成本為1,434 億韓元，原料費用為284 億韓元。在研發總支出中，990億韓元被資本化為無形資產，而2.45兆韓元則被確認為季度的費用。 SK海力士去年第四季的季度研發支出首次突破2兆韓元。隨著市場對HBM等人工智慧相關儲存產品的需求激增，該公司持續加大研發投入。 2022年至2024年，SK海力士的平均季度研發支出約為1.11兆韓元。 SK海力士也在準備HBM4E產品。該公司計劃在今年下半年提供樣品，並於明年開始量產。 HBM4E的基礎晶片採用根據客戶性能要求定制的製程技術進行開發，而核心晶片將採用1c 奈米製程。現有的HBM4產品是基於10奈米級的第五代1b DRAM技術。 HBM4尚未開始商業化量產。 SK海力士第一季資本支出總額為7.35兆韓元（基於有形資產收購），比去年同期的6.28兆韓元成長了21.9%。在建工程（包括半導體製造廠）佔比最大，約6.02兆韓元。該公司本季還購置了價值 9,433億韓元的機械設備、價值2,582億韓元的建築物、價值745億韓元的土地以及價值407 億韓元的構築物。（資料來源：編譯自etnews ）心得/評論：三星開發下一代HBM封裝技術看來未來手機也要有HBM了今天還有個新聞HBM用DRAM良率大幅提升 https://m.163.com/dy/article/KT7ARVA40550B1DU.html 1b DRAM良率達92%、1c DRAM破75% 目前三星HBM4、HBM4E用的是1c DRAM製程 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.225.48.151 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1779095504.A.432.html