Re: [新聞] 美國加強對先進DRAM製程設備管制 為台廠留下更多空間
純討論技術
其中有一段
改以DRAM的儲存容量作為判斷基準,將儲存單元面積小於「0.0026μm2」,或單位面積記
憶體容量大於「0.288Gb/mm2」
早就打破了
我們看一個公開資料 Techinsight今年初買市面上的CXMT的16G D5-6000來切
https://reurl.cc/Gnm3kZ
https://i.imgur.com/QO8cunG.jpeg

Bit density在已量產出貨的產品已經達到
0.00239以下了
其中CMOS還是使用Poly
更不用說正在TD階段的東西了
這個限制早就晚了
這是什麼水準呢 大概就是輸大廠三年吧
大概是1Z node的水準
用DUVi來做 逼到1a/1b都沒問題
補充
DRAM節點 1X-1Y-1Z-1a-1b-1c
現在三大廠最先進大約應該是1b-1c之間
其中 大約在1a/1b的時候導入HKMG CMOS
不過跟台廠也沒關係 台廠連1Y都做不到吧
不要以為記憶體就很好做 蝕刻 多重圖案都是要做的
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 101.10.160.255 (臺灣)
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※ 編輯: tony890415 (101.10.160.255 臺灣), 03/26/2025 10:51:33
※ 編輯: tony890415 (101.10.160.255 臺灣), 03/26/2025 10:54:36
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