[新聞] 三星突破 10 奈米瓶頸，新電晶體有望重塑 DRAM 市場格局
原文標題：
三星突破 10 奈米瓶頸，新電晶體有望重塑 DRAM 市場格局
原文連結：
https://bit.ly/4qjvyAB
發布時間：
2025 年 12 月 17 日 10:10
記者署名：
※原文無記載者得留空
原文內容：
三星電子 16 日宣布，該公司及其三星先進技術研究所（SAIT）成功開發出一種新型電晶
體，能夠在 10 奈米以下的製程節點上生產 DRAM，這個突破將解決行動 RAM 擴展中的關
鍵挑戰。這項技術的重點在於實現小於 10 奈米的 DRAM 製程，這對於行動 RAM 來說是
一個重要的障礙，因為傳統的擴展方法已經達到物理極限。
三星的這項創新專注於0a和0b類DRAM，這些新型記憶體有望顯著提升未來裝置的容量和性
能。根據報導，這項技術仍處於研究階段，未來將應用於小於10奈米的DRAM產品。
在此次宣布中，三星介紹了其名為「高耐熱非晶氧化物半導體電晶體」的技術，該電晶體
能承受高達攝氏550度的高溫，進而防止性能下降。這種垂直通道電晶體的通道長度為100
奈米，並可與單片CoP DRAM架構集成。
在測試中，該電晶體的排水電流幾乎沒有衰退，並且在老化測試中表現良好。這個技術的
推出，將使三星在高密度記憶體市場中更具競爭力，並可能在2026年及以後的裝置中首次
亮相。
心得/評論：
恭喜三星重大突破 利用InGaO技術實現10nm以下DRAM製程
根據此前報導三星計畫在2025年推出1c DRAM (HBM4)
2026年推出1d DRAM 2027年推出10nm以下0a DRAM
今天三星電子股價107900 +4.96%
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