[新聞] 比HBM便宜 軟銀、英特爾攜手研發次世代記憶體
原文標題：
比HBM便宜 軟銀、英特爾攜手研發次世代記憶體
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發布時間：
2026/02/04 08:03
※請以原文網頁/報紙之發布時間為準
記者署名：
蔡承啟 發佈
※原文無記載者得留空
原文內容：
日本軟銀(Softbank)與美國英特爾(Intel)合作、攜手研發AI用次世代記憶體。英特爾表示
，能夠研發比HBM更便宜的記憶體。
軟銀3日發布新聞稿宣布，旗下全資(100%持股)子公司「SAIMEMORY」已於2日和英特爾簽訂
合作契約，將推動次世代記憶體技術「ZAM(Z-Angle Memory)」商業化。「ZAM」是一種具備
高容量、高頻寬、低功耗特性的次世代記憶體技術。
SAIMEMORY為軟銀為了推動次世代記憶體技術的研發、於2024年12月設立的子公司。
SAIMEMORY目標在2027年度內推出原型(prototype)產品、2029年度商業化。藉由「ZAM」技
術，雙方將致力於在需要大規模AI模型訓練、推論的資料中心等領域，實現大容量且高頻寬
的資料處理，並提升處理性能、降低功耗。
日經新聞報導，SAIMEMORY、英特爾目標是將功耗較現行產品減少一半。SAIMEMORY社長山口
秀哉在3日於東京都內舉行的技術相關活動上表示，「將解決散熱、性能、供應等問題。就
某種意義來看、這是破壞性的挑戰」。參與研發的英特爾Joshua Fryman指出，「能夠研發
比HBM更便宜的記憶體」。
根據MoneyDJ XQ全球贏家系統報價，英特爾3日上漲0.90%、收49.25美元。
心得/評論：
ZAM 具備比 HBM 更低的成本（預估減少 60%）與功耗（減半），直接擊中 HBM 昂貴、散
熱難、供應吃緊的痛點。若 2029 年成功商用，可能在大規模 AI 訓練與數據中心市場成為
HBM 的強力競爭者。
同時ZAM也 填補了通用記憶體與頂級 HBM 間的效能斷層。它可能在 AI 推論領域取代高端
DDR5，並因其生產製程與傳統 DRAM 不同，有望減緩目前 HBM 產線對 DDR5 產能的嚴重排
擠現象。
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