[新聞] 記憶體仍迎牛市!瑞銀大幅上修DRAM價格預測、供需失衡恐延續至2028年
原文標題: 記憶體仍迎牛市!瑞銀大幅上修DRAM價格預測、供需失衡恐延續至2028年
原文連結: https://news.cnyes.com/news/id/6522529
發布時間: 2026-07-05 21:00
記者署名: 鉅亨網編譯莊閔棻
原文內容:
瑞士銀行(UBS)日前發布最新產業研究報告,大幅上調 DRAM 合約價格預測。瑞銀預計
,2026 年第三季 DDR 合約均價將較上季勁揚 32%,第四季再上漲 18%,分別大幅優於先
前預估的 17% 及 12%。
NAND 快閃記憶體方面,瑞銀同步調升展望,預計第三季較上季上漲 30%(原估 17%),
第四季較上季上漲 12%。
瑞銀指出,DRAM 市場供需緊張態勢預計至少延續至 2028 年上半年。據估算,2027 年晶
片需求年增幅約達 36.2%,遠高於供給端的 19.3% 成長,缺口難以填補,供需失衡程度
堪稱近 30 年罕見。
若不計下游庫存回補效應,供應短缺比率將從 2026 年的 8.1%,進一步惡化至 2027 年
的 13.6%。
綜合上述判斷,瑞銀預期,價格上漲將推動記憶體產業 2026 年營收達 9,920 億美元,
2027 年更將攀升至 1.76 兆美元。
南韓媒體週五(3 日)率先披露,三星電子計劃將第三季 DRAM 平均售價較上季調漲最高
20%。一家消費電子品牌廠商負責人亦證實,今年 6 月三星已主動洽談,目前廠商已接
獲口頭漲價通知。
該負責人表示:「上游零組件大幅漲價最終會傳導至終端整機售價,對需求多少有所抑制
,但考慮到消費電子產品現行售價整體不高,預期對消費者購買意願影響有限。」另有業
內資深人士也確認,三星已透過口頭報價方式通知部分客戶。
三大巨頭同步擴產,搶攻 AI 晶片需求
面對供不應求的市場局面,記憶體三巨頭紛紛加速布局產能擴張。
根據《彭博》報導,美光科技 (MU-US) 週六(4 日)於日本廣島舉行西部廠區擴建奠基
典禮,本次擴建投資規模達 1.5 兆日元(約 93 億美元),聚焦量產高頻寬記憶體(HBM
)等高階晶片,預計 2028 年夏季前後開始出貨。
日本經濟產業省已承諾補助最高 5,000 億日元,分攤部分建廠成本。此外,美光亦在美
國愛達荷州博伊西規劃兩座頂尖晶圓廠,並於今年 1 月在紐約州錫拉丘茲近郊舉行千億
美元生產基地奠基儀式。
三星則宣布計劃在南韓西南城市光州興建兩座記憶體晶片製造廠;SK 海力士也規劃於全
羅道周邊地區建設兩座晶圓廠。
兩家公司合計投資規模高達 800 兆韓元(約 5,223 億美元),作為南韓政府「三大超級
工程」倡議的核心項目。該倡議以半導體、實體 AI 及 AI 資料中心為驅動,總投資規模
達 4,755 兆韓元。
根據《韓聯社》報導,南韓總統李在明預計下週主持召開戰略審查會議,親自督導西南地
區超大型半導體生產基地的進展。
另據外媒報導,SK 海力士計劃 7 月 6 日啟動美國存託憑證(ADR)簿冊建置作業,7 月
9 日確定最終發行價,並於次日在那斯達克掛牌上市,目標籌資規模最多達 294 億美元
,發行股數預計不超過現有流通股的 2.5%。
心得/評論:
美光:
美國Idaho 1-2027年中產出
美國Idaho 2-2028年底投產
美國New York-2030年投產
日本廣島擴建
三星:韓國光州兩座新建
SK海:韓國全羅道兩座新建
美國日本韓國計畫蓋記憶體廠,怎麼沒有台灣??
記憶體這波,韓國真的賺麻了
瑞銀預估Q3上漲30%,比TrendForce的18%還高
會不會跟Q1一樣
TrendForce預估漲55%-60%,後面上調90%-95%
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