Re: [請益] 關於DRAM工程師與一般邏輯電路廠的差別

看板Tech_Job (科技人)作者 (生活要精采)時間10年前 (2014/05/18 15:27), 編輯推噓8(9172)
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※ 引述《sendtony6 (TONY)》之銘言: : ※ 引述《cookies12 (餅乾的餅乾藏在餅乾盒裡)》之銘言: : : 想請問一下 : : DRAM場跟一般邏輯電路廠(台積、聯電) : : 學到的半導體製程是很不一樣的嗎,就是不能跳來跳去這樣? : : 還有就是邏輯做到22nm,DRAM是沒做到那麼小嗎? : : 還有一個選工作的問題 : : 當工程師做電性分析與做製成整合 : : 哪種比較好學到的有用的東西(認為是好升遷轉公司的)! : : 萬分感謝你 : 這問題我也是進到GG後才知道,為啥平平都是LIT / ETC / CMP / DIF : 一間可以做到全世界最大~另一間(甚至連3爽都不太賺)搞到快倒了 : 現在d-ram最小好像就是到N22...(據了解中科那間正在衝良率) : 兩個的差異在於patern 定義的困難度有很大的落差 : Dram parern的定義層與層的之間的疊對非常好控制(據我們公司某位曾在UMC待10幾年 : 的資深前輩說 : UMC以前有小量做過D-ram良率閉著眼睛做都90%) : 而邏輯區的疊對通常都是一些怪圖案 很難控制 : (重覆性越高,越整齊的圖案越好做) : (有機會可以拿dram的wafer跟logic 的wafer比較看看就會知道我在說啥了) : 第2個主因是因為D-ram的defect concern,可以說是根本就不concern : 因為dram顆粒可以切很小,有partical沒關係 還有一大片可以賣錢 : (舉例來說~一片12吋wafer 如果可以切1000個die 那有20個die掛了還有980個可以賣) : (假如只能切100個die 一樣是20個die掛了(假如partical是隨機分布) 就只剩80個) : 但邏輯晶片隨便一顆partical就可以造成斷路/短路 (能切的size也大很多) : (而dram還不見得會短路) : 如果動不動就把沾到partical的部份報廢那走完整個process大概只剩沒幾片可以賣錢 : 所以LIT很倒眉~只要EDS有打到碳成份都說是LIT的問題 : (但真正學過能譜分析的都知道電子束聚焦在金屬面上也會積碳 還曾經也人拿這個當博論) : 至於電性分析都是量阻值 / 電容值 / 跟量率(就是會不會導電而已) (就是高中物理那些) : 以上這些都不是工作中知道的而是跟某些前輩閒聊知道 : 你的問題拿去問一堆在GG工作的PE 跟你保證一堆人搞不清楚故事前後 : 這也市我覺得在GG工作很悲哀的地方(眼界太小) : 整天只會看著SPC 顧機台 call vender 盡是做些高中生就能做的事 : 回到你的問題 Dram廠跟晶圓廠能不能互跳? 當然可以 : 因為使用的機台都差不多只是做的事難易差別而已 我覺得妳的文章有很多對DRAM的誤會,T公司無疑是foundry 的leader, 而且應該也有生產記憶體,不便多說,妳在T等級夠高認識夠多product就會知道我在說什麼 還有DRAM跟妳們在線寬上定義也不一樣,用一般foundry logic 22nm的design rule 應該lithography解析度可能也無法生產22nm的DRAM, 抱歉這也無法多談 還有隨便做良率90%應該是 90nm之前的製程了,現在的不可能,我猜T在2x 有做到記憶體的良率也沒這麼高 線寬或是圖案密度都是design rule,我想妳在台積應該會有概念,決對不會因為是DRAM就有這麼大的差異 die大小基本上看容量 但跟非記憶體比,與其說大小差異,不如說層數差異 還有一個重大差別在客製化,例如ASIC 總之,妳們不錯,但對別行不應該下這樣輕率的評論 -- Sent from my Android -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 112.97.37.111 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1400398030.A.A0E.html

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那不妨說說dram與邏輯電路的差異在哪裡?
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畢竟這些都是我聽一些資深前輩說的~
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都一樣是晶圓製造為什麼Dram會這麼慘?(除了3爽因素)
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電路上還製程上?
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我沒說兩者相同~我的文章也只是說個概念(層數差異不就是
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製程上差最大就電容阿
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overlay的困難度嗎??)
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然後?
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其實現在也沒多慘啦 美光系列不見得比聯電差
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SORRY~我無意說誰好誰壞~但兩者到底差別在那裡不防說來
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疊對不是靠alignment mark, 為什麼跟其它pattern關聯
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這麼大?
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聽聽???
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overlay跟圖案定義當然有很大關聯...上下兩層如果都長的
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都差不多那當然很好對齊...光spec就可以天差地遠
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層多也是看妳via contact? 沒仔細比過兩種的alignment
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tree, 不敢亂comment
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基本上DRAM對particle一樣concern阿,都做到2x了,有p
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article怎麼可能不死
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圖案差不多 via歪了不是一樣死? 會比較鬆?
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看來你也不知道兩者到底差在哪裡.....
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妳覺得我有可能把妳們layout, process, testing & des
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ign從頭到尾看一輪嗎?
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所以我只能comment你有偏見的地方
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重點是,DRAM也沒這麼爽XD
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然後 其實妳們PIE也不少memory產業過去的
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講這麼多....logic廠看多少WAT item呀?? DRAM廠看多少??
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還有CP測試 logic廠有laser repair?DRAM廠才有的laser repair
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哈哈哈 我也很想知道妳們看多少 有時看到device corre
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lation可是去review foundry都沒finding
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laser repair算比較舊的技術了
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所以logic沒有任何repair的機制嗎? 沒有任何function
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al unit的redundancy?
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就我看過memory跟logic廠給的WAT review報告 其實差
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異可能沒有妳想像中的大 當然我相信對客戶不會全給
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所以樓上是豬屎屋的PE?
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講錯摟,T與U帶工裡的RAM是包含在電路產品裡一部分,沒產單一
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顆DRAM 或RAM產品
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價格差太多
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樓上D大講的很對 只是我不知道能不能講這麼明
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其實也不一定是RAM @@
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其實embedded很多問題很難搞
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客製化跟大眾化價格真的不能比
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邏輯和dram的pattern不太一樣,邏輯的layout比較多種變化
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bat講得比較清楚
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Layout變化多聽起來OPC難搞?
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Lithography 容易變形?
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感謝回覆m(_._)m
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做logic foundry並不會去生產單一的RAM產品(注意,DRAM只是
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RAM產品群裡的一種),通常一般logic電路都會包含標準SRAM
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有些產品則會有客製化的RAM或該foundry的特製RAM,先不論
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logic電路的區域,光這個RAM就比DRAM難做,速度性能也比較好
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測試的spec也是比較嚴苛,一個新世代的製程開發,一開始的
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shuttle大家以及客戶先看的一定是SRAM的部分,這部分work
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才會再去看整個device,所以說,如果真的把邏輯電路裡的RAM
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拿出來單獨出產品跟DRAM去PK(先不論有沒有人要買),我跟你
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說,絕對難做很多,根本很難像DRAM廠那樣海RUN,更不用說,當
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你還把邏輯電路加進來,製程的複雜度更是難以控制,因為你會
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發現,SRAM對了,但是logic卻不太對,core太冷或太熱,總之要
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把製程調到可以讓兩邊平衡,並符合各個客戶以及產品的需求
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這是非常難的事情,而且因為不同的產品還要給不同的製程
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例如,有些device需要high performacne所以要HKMG還要SiGe
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有些則只要HKMG就好,不用SiGe,有些更只要能動就好,重要是
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便宜,所以只要SiON就好,例如,WIFI晶片,另外,由於spec很緊
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所以常常會有所謂的垂直機限,這整個兜起來你看有多複雜
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更不用說,邏輯產品除了非常大的客戶以外,說真的,你RUN的量
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根本無法跟DRAM比,例如最近某個常上新聞版面的交大校友
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他的豬屎屋shuttle RUN一RUN結果出了套產品只有500pcs的量
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那他是不是客戶?是阿?要不要幫他出一套製程?要阿,這種客
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戶多不多?多啊!因為多數客戶都不是AMD/QUA/Xilinx/NV之流
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所以,logic foundry跟DRAM的差異跟複雜度是非常大的,而這
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還只是從表面來看,如果從最基本的電子電路學來看,他們更有
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根本的不同,所以logic會有一張光罩就是一個Die產品,但DRAM
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卻不會有
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很久以前有個版友說得很好,DRAM重後段,logic重前段,不過
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現在先進製程裡,logic也開始重後段了,因為後段開始也是瓶
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頸了 (笑)
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基本上都沒錯 只是SRAM跟DRAM應用上要求差很多 pk起
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來是張飛打岳飛
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速度被後犧牲的就是耗電量跟面積
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還有SRAM容量小 如果以他的良率做到DRAM的容量 良率
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不到5%吧
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文章代碼(AID): #1JU63EeE (Tech_Job)
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