Re: [請益] 半導體迷失的奈米世界--交大NDL論文大突破

看板AfterPhD (博士後)作者Shilia (us, together)時間7年前 (2017/05/08 01:33)推噓6(6推 0噓 29→)

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(對不起我提前過母親節去了所以論文時序表遲到了...) 目前整理好的七篇半導體疑似學術造假論文列表在這兒 https://goo.gl/JhFZDd 想請問大家: 1) Japanese Journal of Applied Physics (2011) 那篇論文的通訊作者到底是哪位呀？我眼睛大顆沒看到是留哪位作者的 email 耶... QQ 2) IEDM 2010 ＋ Japanese Journal of Applied Physics (2011) ＋ Sensors (2012) 那三篇論文的問題，附一張生物晶片檢測曲線大合照就很清楚地指出問題所在；但是 IEDM 2014 ＋ IEDM 2015 + IEEE Transactions on Electron Devices (2016) + IEEE Journal of the Electron Devices Society (2016) 那四篇，我要怎麼樣簡單明瞭地陳述問題？把c大的講解貼在各篇 PubPeer url 下方會不會被倫理委員會委員們當成小朋友惡作劇於是沒人想認真調查？ 3) NDL 的經費來源為科技部。所以具名檢舉函最應該送去的是科技部誠信辦公室而不是教育部這樣嗎？ https://goo.gl/D15lNJ == The persons or bodies to whom a protected disclosure must be made are: (A) A Member of Congress or a representative of a committee of Congress. (B) An Inspector General. (C) The Government Accountability Office. (D) A Federal employee responsible for contract or grant oversight or management at the relevant agency. (E) An authorized official of the Department of Justice or other law enforcement agency. (F) A court or grand jury. (G) A management official or other employee of the contractor, subcontractor, or grantee who has the responsibility to investigate, discover, or address misconduct. == ※ 引述《cloudpapa (ee)》之銘言： : 標題: [請益] 半導體迷失的奈米世界--交大NDL論文大突破 : 時間: Fri Apr 7 00:21:48 2017 : : : 在臉書社團 "對科技部，你沒有沈默的權利！” : : 中看到一則交大發表的論文針對半導體科技的討論： : : https://goo.gl/sQ5lHG : : 似乎是在討論到底是Ge還是Si的特性， : : 原文引用自pubpper網站，有兩篇類似文章討論， : : 得到不少的回應。 : : 來源一： https://goo.gl/f3rX0M : : 來源二： https://goo.gl/BhYCJr (與來源一有七張圖類似) : : 來源三 : ： https://goo.gl/kWXlxV (新聞轉譯) : : 不知此技術對於半導體在奈米科技的提升是否有幫助？ : : : 那篇新聞轉譯寫到一年六篇iedm耶，intel不知有沒有那麼多 : 這類業界在看的論文 iedm算是標竿了 : 通常都會先看電流值好不好,Ge FET有 8個order : 這篇可以算是世界數一數二了 : 經過一年多不知道有沒有更新的進展就是了 : 但仔細一看在pubpeer幾乎被問倒了 : 理論跟樣品結構都有被問，一段時間了好像沒有原作者回答 : 只是一直被問，最後連小問題都被抓出來....這有點尷尬 : 然後有個問題是，每個SEM都長得超級像的， : 可能是製程條件控制得超級好， : 也有可能同一個樣品不同的拍攝角度 : 連fib都要控制得很好，這實在非常困難(只能說高手雲集) : 另一篇paper有七張圖被點出是一樣的，這更尷尬 : 也算是大作一篇了 : 避免本人也傻刪文 pubpeer如果要看原文請找：Ge 111 : (不過IEEE在pubpeer都是國外的文章被討論居多耶 : 看了這篇才知道學術圈的技術也進步很多了) : : PS : 早上上班前看到S大的呼喊， : 立馬把文章先存著慢慢消化 : 原諒GG菜鳥幾乎是過了一天才回文...^^" : ------------------------------------ : : 既然大家對MoS2 那麼有興趣我也來插花一下好了 : pubpeer原文 https://goo.gl/AR8q3t : 請搜尋：TMD <--看到都是台灣作者就對了 : 話說這是一種超新的二維材料號稱可以做出更小的電晶體 : 不過目前都還在研究階段只是上面這篇大作 : 好像已經做到可以控制層數而且還有相對的電性WAT超好ㄉ : 這在對目前半導體產業來說非常困難^N N=無限大...還在努力中 : 問題來了有兩個提問都講到層數是如何控制的..真想學習 : 這已經超越CVD的極限了..還可以選擇性的成長在想要的地方 : 只能說太強了....以上不知道我有沒有會錯意 : : --------- : 難得我會有好多推文...也請大家踴躍加入討論 : 誰說ＧＧ工程師只能賣肝...我也是懂點科學的 : -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 180.217.160.134 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/AfterPhD/M.1494178421.A.8A0.html

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Shilia

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Shilia

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推

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