[請益] 半導體迷失的奈米世界--交大NDL論文大突破

看板AfterPhD (博士後)作者 (ee)時間7年前 (2017/04/07 00:21), 7年前編輯推噓102(1020464)
留言566則, 19人參與, 最新討論串1/9 (看更多)
: 在臉書社團 "對科技部,你沒有沈默的權利!” : 中看到一則交大發表的論文針對半導體科技的討論: : https://goo.gl/sQ5lHG : 似乎是在討論到底是Ge還是Si的特性, : 原文引用自pubpper網站,有兩篇類似文章討論, : 得到不少的回應。 : 來源一: https://goo.gl/f3rX0M : 來源二: https://goo.gl/BhYCJr (與來源一有七張圖類似) : 來源三 https://goo.gl/kWXlxV (新聞轉譯) : 不知此技術對於半導體在奈米科技的提升是否有幫助? 那篇新聞轉譯寫到一年六篇iedm耶,intel不知有沒有那麼多 這類業界在看的論文 iedm算是標竿了 通常都會先看電流值好不好,Ge FET有 8個order 這篇可以算是世界數一數二了 經過一年多不知道有沒有更新的進展就是了 但仔細一看在pubpeer幾乎被問倒了 理論跟樣品結構都有被問,一段時間了好像沒有原作者回答 只是一直被問,最後連小問題都被抓出來....這有點尷尬 然後有個問題是,每個SEM都長得超級像的, 可能是製程條件控制得超級好, 也有可能同一個樣品不同的拍攝角度 連fib都要控制得很好,這實在非常困難(只能說高手雲集) 另一篇paper有七張圖被點出是一樣的,這更尷尬 也算是大作一篇了 避免本人也傻刪文 pubpeer如果要看原文 請找:Ge 111 (不過IEEE在pubpeer都是國外的文章被討論居多耶 看了這篇才知道學術圈的技術也進步很多了) PS 早上上班前看到S大的呼喊, 立馬把文章先存著 慢慢消化 原諒GG菜鳥幾乎是過了一天才回文...^^" ------------------------------------ 既然大家對MoS2 那麼有興趣 我也來插花一下好了 pubpeer原文 https://goo.gl/AR8q3t 請搜尋:TMD <--看到都是台灣作者就對了 話說這是一種超新的二維材料 號稱可以做出更小的電晶體 不過目前都還在研究階段 只是上面這篇大作 好像已經做到可以控制層數 而且還有相對的電性WAT超好ㄉ 這在對目前半導體產業來說非常困難^N N=無限大...還在努力中 問題來了 有兩個提問都講到層數是如何控制的..真想學習 這已經超越CVD的極限了..還可以選擇性的成長在想要的地方 只能說太強了....以上不知道我有沒有會錯意 --------- 難得我會有好多推文...也請大家踴躍加入討論 誰說GG工程師只能賣肝...我也是懂點科學的 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 123.110.147.130 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/AfterPhD/M.1491495711.A.44D.html

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S大交大跟NDL好像是一起的...這樣算有救回您的文章嗎?
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看來您只適合推文耶..
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04/07 00:33, , 3F
有喔有喔, 非常感謝c大您的備份救援 & 我果然還是繼續躲在
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原來物理極限是能突破了 那應該要發在science才對
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圖都一樣也能投稿 只能給87分不能再高了
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04/07 01:23, , 6F
S大,這次換我不適合推文了.竟然不小把您的推文刪除--"
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C大果然是內行人!光被質疑第一點作者應該很難答覆!
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第一觀點從材料bandgap來探討,並考慮作者所提到介面
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缺陷密度很低,再從元件電性看出電流是走SI材料!簡
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直是幫我們上一個課!無懈可擊!之後作者群又轉投到ED
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國際期刊上,再被質疑FIB都是同一個試片,且用三種虛
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線來掩飾FIB原始圖,再把FIB與蝕刻做到那麼完美,簡
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直是神作!交大博士班能拿此篇paper當作畢業論文也算
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是台灣之光!世界紀錄博士論文與研究機構!
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忘記講ED期刊已修正世界紀錄!但JEDS回顧論文與IEDM
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論文依然是紀錄保持人與突破物理極限!建議作者群可以
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投nature與science兩大期刊,為台灣爭光
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原來本版真有人討論.臉書都比較淡了.
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C大我相信你是懂元件物理!只要從Ge與Si元件物理特性
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(常溫下之擴散與漏電機制)去觀察!ED期刊能做到7個o
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rder已經非常非常了不起(真的很難達到)!T公司應該
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採用此元件製成技術!
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C大的說明真是簡潔有力!目前十奈米以下的技術門檻很高,
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看了這篇論文原來學界的蝕刻技術已經那麼成熟了...做出超
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越摩爾理論的元件了。只是每張相片都好像。鑽石結構不知
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重複率為何..業界會買單嗎
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04/07 18:52, , 27F
推樓上ID
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04/07 22:17, , 28F
c大:我的耍笨推一點都不重要啦!不過把這個 PubPeer 討論
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串從 Facebook 社群拉到 PTT 上,就真的獲得 GG 工程師的
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專業意見,雖然只是半導體門外漢,看了還是覺得很開心, 就
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跟看到科技部教育部對台大學術造假調查案的複審結果比
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ACE520大去年11/21預測的結果算好上很多很多了一樣的開心
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04/07 22:24, , 33F
高雄人最喜歡熱血熱情又熱鬧的GG工程師專業回文了!
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S大對於您想垮領與學習半導體..這篇可能真的需要確認
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數據的真假,如果不是真的那真的是誤導您了,這篇被注意
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04/07 22:50, , 36F
很久了,有參加會議並聽過這個演講的人,在還來不及問
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題,沒想到上網討論後就如此熱烈,也真希望作者能回答
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畢竟是大作,又那麼多個作者共同參與,但如果只用一個
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元件再加上模擬可能不足以解釋那麼多實驗過程了..
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還有 487 則推文
還有 4 段內文
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能說世界第一的寶座還是穩坐著..@@
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好奇Jerk大的文章怎麼不見了...
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jerk大不見的文章不只c大您前一篇,不知道是不是踩到什麼
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ptt 違規所以文一起被刪除還是怎樣 & 因為我並不是半導體
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或光電背景的,所以寫的檢舉函需要有真正專業的一校。週末
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整理好時序表之後會把 google docs 的 url 貼出來,需要有
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專業的 reviewer 幫忙檢查有沒有哪裡有愚蠢的錯誤、或是誤
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會了別人領域某些用字遣辭的意思。
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S大您真是太熱心了!我相信許多專業鄉民都很願意幫您r
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eviewer!製程方法可以讓物質的特性變化這麼大這個很
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讓人執意且刀功神準!或許教科書該出新版ㄧ刷?
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S大,推您的熱血
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Jerk大的文都砍了耶!不知發生什麼事了。
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批踢踢的鄉民臥虎藏龍,一定有很多半導體跟光電專業能當r
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eviewer的
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怎麼有四篇IEEE文章被拿出來討論,很多作者都有重複,還
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掛同一單位,有什麼隱情嗎?
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shit大.這篇是新的 https://goo.gl/tcFCv7 到底有幾篇
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biosensor是生醫領域..被抓出來一圖多用又改圖..2010
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半導體、生醫都有..難道也要回推十年前的論文開始串改
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在pubpeer看到的IEDM台灣就屬這個實驗室是代表了,一年好幾
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篇是有攻佔各大領域嗎
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2010年生物晶片就能做到那麼好,有開公司跟上市了嗎
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05/06 19:42, , 550F
學術倫理審查台大重判,放過其他學校,被懲罰的人心理會平衡
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05/06 19:42, , 551F
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05/06 19:46, , 552F
生物晶片檢測的曲線不知是否也有軟體可以分析是否重複貼圖
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05/06 19:46, , 553F
或修改
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05/06 20:21, , 554F
擬控~
05/06 20:21, 554F

05/06 21:08, , 555F
再下去真的要無法無天了,然後一直補破網..
05/06 21:08, 555F

05/06 23:02, , 556F
老實說近幾年來這單位所發表的IEDM與VLSI的數據都太漂
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05/06 23:02, , 557F
亮!趨近於完美!
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05/07 00:07, , 558F
(c大您這篇紅爆了欸!!!) 這篇新的 PubPeer,三篇paper裡頭
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05/07 00:10, , 559F
兩篇有中研院楊富量... (所以這篇找中研院投訴比較快吧?)
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05/07 00:13, , 560F
https://goo.gl/Eu9rNF 話說4/28中研院才剛與Elsevier合辦
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05/07 00:14, , 561F
了個「研究誠信與出版倫理工作坊」,所以這篇PubPeer送到
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05/07 00:15, , 562F
中研院(不是教育部)去,大概比較快可以得到答案。
05/07 00:15, 562F

05/07 16:50, , 563F
是這位嗎 Fu-Laing Yang 怎麼又冒出中研院 也是MoS2那篇
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05/07 16:50, , 564F
掛名在胡正明博士前的那位 有內幕嗎 愈來愈有趣了
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05/08 01:04, , 565F
是的就是名字掛胡正明前面的那一位 https://goo.gl/JhFZDd
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05/08 01:05, , 566F
我開另一篇來問檢舉函怎麼寫比較好&寫給誰的事情好了
05/08 01:05, 566F
文章代碼(AID): #1OvciVHD (AfterPhD)
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