[解題] 高中化學

看板tutor (家教)作者 (喔耶~)時間15年前 (2009/12/20 13:13), 編輯推噓5(505)
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1.年級:學生目前高三 2.科目:高中化學 以下有數題及觀念: 3.章節:游離能 4.題目:游離能大小 Cl+ > S+ 5.想法:游離能大小同族往下游離能愈小 同一週期往右游離能鋸齒狀遞增 (遇半填滿及全填滿會增大) 我是想說6A族被拿掉形成半填滿應該要比7A族拿掉的游離能還大吧?? 還是解答有誤呢?? -- 3.章節:有機 4.題目:3.6g某與2.4g氧完全化合 且IE3 >> IE2 請問"某有何性質"? 5.想法: 我儘可判定可能為2A 4A 7A族元素 答案選出來後可以確定是Mg 所以前面那個與氧化合的部分要怎麼算呢?? -- 3.章節:金屬 4.題目:銫比鋰適合做光電材料的原因? a銫的密度小 b銫的游離能低 c銫的氧化電位小 d銫的昇華熱小 5.想法: 這題我用因為光電材料涉及電子電洞的產生和傳導來和學生解釋 所以如果能愈容易讓電子移動者為佳 所以我會選bc 但是d是為什麼?? 還是當作故事記一下就好呢? -- 學生要考試了 感謝大家的解答<(_ _)> -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.113.56.111

12/20 14:17, , 1F
游離能那邊半徑的影響最重要 主殼層不一樣不能亂比
12/20 14:17, 1F

12/20 14:19, , 2F
不過我好像看錯題目... Cl > S , Cl+ > S+ 這個很合理 :p
12/20 14:19, 2F

12/20 14:21, , 3F
有機那邊..那一題不是有機吧? XD
12/20 14:21, 3F

12/20 14:22, , 4F
解法很簡單 (3.6-2.4)/M = 2.4/16 , M 就是金屬的分子量
12/20 14:22, 4F

12/20 14:23, , 5F
至於最後那題答案應該只有B而已喔...
12/20 14:23, 5F

12/20 14:30, , 6F
氧化電位越低代表越不容易氧化 代表游離能越高...
12/20 14:30, 6F

12/20 18:45, , 7F
恩感謝 原來是用當量 不過算式應該是3.6/M =2.4/16 :>
12/20 18:45, 7F

12/20 19:22, , 8F
游離能那個我找到資料了 只有第一游離能需要這樣考慮:>
12/20 19:22, 8F

12/20 22:51, , 9F
沒看清楚題目 XD...
12/20 22:51, 9F

12/20 23:32, , 10F
最後一題答案只有b喔 c的原因我上面有說 ad都是亂扯的
12/20 23:32, 10F
文章代碼(AID): #1BBRAEPI (tutor)
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